[實用新型]一種柔性基片襯底的異質結構器件有效
| 申請號: | 201820234722.7 | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN208189597U | 公開(公告)日: | 2018-12-04 |
| 發明(設計)人: | 李雙美;張東;何喬;李關民;王敏 | 申請(專利權)人: | 沈陽工程學院 |
| 主分類號: | H01L29/861 | 分類號: | H01L29/861;H01L29/45;H01L29/24;H01L21/34;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06 |
| 代理公司: | 沈陽銘揚聯創知識產權代理事務所(普通合伙) 21241 | 代理人: | 呂敏 |
| 地址: | 110136 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚酰亞胺 抗腐蝕保護層 異質結構器件 導電薄膜層 柔性基片 材料層 襯底 透明導電薄膜 柔性襯底層 材料晶格 襯底基片 導電電極 導電性能 電子器件 規模生產 器件功率 使用壽命 有效解決 電阻率 緩沖層 融合度 失配 蒸鍍 制備 薄膜 腐蝕 緩解 | ||
1.一種柔性基片襯底的異質結構器件,其特征在于:從下到上依次包括聚酰亞胺柔性襯底層、第一導電薄膜層、Ga2O3材料層、VO2材料層、第二導電薄膜層及抗腐蝕保護層。
2.根據權利要求1所述的柔性基片襯底的異質結構器件,其特征在于:所述第一導電薄膜層和第二導電薄膜層均為AZO透明導電薄膜層。
3.根據權利要求2所述的柔性基片襯底的異質結構器件,其特征在于:所述AZO透明導電薄膜層厚度為100nm至500nm。
4.根據權利要求1所述的柔性基片襯底的異質結構器件,其特征在于:所述抗腐蝕保護層為TiN抗腐蝕保護層。
5.根據權利要求4所述的柔性基片襯底的異質結構器件,其特征在于:所述TiN抗腐蝕保護層的厚度為200nm至800nm。
6.根據權利要求1所述的柔性基片襯底的異質結構器件,其特征在于:所述Ga2O3材料層的厚度為400-600nm。
7.根據權利要求1所述的柔性基片襯底的異質結構器件,其特征在于:所述VO2材料層的厚度為600-900nm。
8.根據權利要求1所述的柔性基片襯底的異質結構器件,其特征在于:所述聚酰亞胺柔性襯底層的厚度為0.4~1.2mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于沈陽工程學院,未經沈陽工程學院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820234722.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:高電子遷移率二極管和半導體器件
- 下一篇:一種整流二極管芯片
- 同類專利
- 專利分類





