[實(shí)用新型]高產(chǎn)能薄膜沉積裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820196788.1
• 申請(qǐng)日: 2018-02-05
• 公開（公告）號(hào): CN208121198U
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊旭明;王延凱;陳慧娟;蔡淵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州新材料研究所有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/56
• 分類號(hào): C23C14/56
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 范晴

一種工業(yè)鍍膜技術(shù)領(lǐng)域的高產(chǎn)能薄膜沉積裝置，包括：至少一個(gè)具有沉積源的沉積腔，其內(nèi)設(shè)有沉積源；原始帶卷盤腔，其內(nèi)設(shè)有與走帶系統(tǒng)相連的原始基帶盤，且通過第一基帶真空鎖與沉積腔相連；以及產(chǎn)品帶卷盤腔，其內(nèi)設(shè)有與走帶系統(tǒng)相連的產(chǎn)品基帶盤，且通過第二基帶真空鎖與沉積腔相連；所述原始帶卷盤腔、沉積腔和產(chǎn)品帶卷盤腔均連接有抽真空裝置和去真空裝置，所述第一及第二基帶真空鎖在有帶材從中穿過且?guī)Р奶幱陟o止?fàn)顟B(tài)的情況下對(duì)原始帶卷盤腔、沉積腔和產(chǎn)品帶卷盤腔進(jìn)行高真空密封。本實(shí)用新型對(duì)放卷、鍍膜和收卷的作業(yè)環(huán)境進(jìn)行分離，減少沉積前裝置準(zhǔn)備工作所需的時(shí)間，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)能，降低能耗和生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及的是一種工業(yè)鍍膜領(lǐng)域的技術(shù)，具體是一種高產(chǎn)能薄膜沉積裝置。

背景技術(shù)

離子源越來愈多地應(yīng)用于薄膜沉積工業(yè)，這是因?yàn)殡x子源的使用可以極大地提高產(chǎn)品質(zhì)量和性能。例如Low-E薄膜，其功能層銀膜耐環(huán)境腐蝕的性能較差，因而只能密封于雙層玻璃中使用；但市場(chǎng)上越來越多地產(chǎn)生了對(duì)單層玻璃Low-E薄膜的需要，在這樣的產(chǎn)品中，Low-E薄膜直接暴露在外界環(huán)境中，對(duì)其耐環(huán)境腐蝕的性能提出了很高的要求，另外單層玻璃Low-E薄膜直接面對(duì)生產(chǎn)和使用中的各種操作，對(duì)薄膜的耐機(jī)械損傷也提出了很高的要求。采用離子濺射或離子束輔助沉積的方法可以讓薄膜獲得較高的致密度從而解決上述問題。

目前帶狀基材的表面沉積鍍膜采用卷對(duì)卷工藝，將繞卷設(shè)備與鍍膜設(shè)備置于同一個(gè)真空環(huán)境中，通過放卷、鍍膜和收卷得到備用的成品。由于繞卷設(shè)備和鍍膜設(shè)備均在同一個(gè)真空室內(nèi)，所以每次更換待鍍工件均需要破真空，使得裝置準(zhǔn)備工作所需的時(shí)間大大增加。裝置準(zhǔn)備工作包括1)沉積腔的清理，2)高真空度的獲得，3)各種雜質(zhì)氣體減少到最低允許閾值，進(jìn)行預(yù)濺射以獲得各個(gè)沉積參數(shù)的設(shè)定值，并使得裝置各個(gè)參數(shù)的漂移率減少到允許值。沉積前裝置準(zhǔn)備工作質(zhì)量的好壞是產(chǎn)品質(zhì)量控制的關(guān)鍵，直接影響帶狀基材的長(zhǎng)帶均勻性和每次沉積作業(yè)的重復(fù)性。因而目前的設(shè)備和工藝不僅增加了抽真空時(shí)間和抽真空量，增加了能耗，而且降低了生產(chǎn)效率，提高了產(chǎn)品質(zhì)量把控的難度，大大增加了成本。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提出了一種高產(chǎn)能薄膜沉積裝置，對(duì)放卷、鍍膜和收卷的作業(yè)環(huán)境進(jìn)行分離，減少沉積前裝置準(zhǔn)備工作所需的時(shí)間，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)能，降低能耗和生產(chǎn)成本。

本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

本實(shí)用新型涉及一種高產(chǎn)能薄膜沉積裝置，包括：

沉積腔，數(shù)量不少于1個(gè)，其中至少一個(gè)設(shè)有沉積源；

原始帶卷盤腔，其內(nèi)設(shè)有與走帶系統(tǒng)相連的原始基帶盤，且通過第一基帶真空鎖與沉積腔相連；

以及產(chǎn)品帶卷盤腔，其內(nèi)設(shè)有與走帶系統(tǒng)相連的產(chǎn)品基帶盤，且通過第二基帶真空鎖與沉積腔相連；

所述原始帶卷盤腔、沉積腔和產(chǎn)品帶卷盤腔均連接有抽真空裝置和去真空裝置，所述第一及第二基帶真空鎖在有帶材從中穿過且?guī)Р奶幱陟o止?fàn)顟B(tài)的情況下對(duì)原始帶卷盤腔、沉積腔和產(chǎn)品帶卷盤腔進(jìn)行高真空密封。

所述第一及第二基帶真空鎖均由閥體和活塞構(gòu)成，閥體內(nèi)設(shè)有活塞腔體，活塞可活動(dòng)的設(shè)置于活塞腔體內(nèi)并在底部固定有真空密封套，真空密封套底部和閥體之間設(shè)有基帶通道，真空密封套通過活塞壓于帶材上進(jìn)行高真空密封。

優(yōu)選地，所述第一及第二基帶真空鎖在進(jìn)行高真空密封時(shí)，漏氣率小于10^-5Torr.l/s。

所述沉積腔連接有第一高真空泵，所述第一高真空泵經(jīng)管路連接至第一粗抽真空泵，所述第一高真空泵和第一粗抽真空泵之間設(shè)有第一粗抽閥。

優(yōu)選地，所述原始帶卷盤腔和產(chǎn)品帶卷盤腔可與沉積腔共用第一粗抽真空泵；