[發(fā)明專利]一種柔性透明電極及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011091277.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112233833B | 公開（公告）日： | 2022-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫琿;劉學(xué)男;宮建紅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01B5/14 | 分類號(hào)： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 謝曉華 |
| 地址： | 250100 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 柔性 透明 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種柔性透明電極的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
S1、依次用酒精、超純水、丙酮和酒精對(duì)基底進(jìn)行超聲波清潔，使用N2吹干基底，使基底清潔；
S2、將基底放入磁控濺射反應(yīng)腔中，在氬氣氛圍下用射頻磁控濺射方法對(duì)AZO靶進(jìn)行預(yù)濺射，預(yù)濺射時(shí)間為20~40 min；然后在基底上生長(zhǎng)第一層AZO薄膜，濺射時(shí)腔體溫度為室溫、腔體真空度為3×10-4 Pa、靶基距為8 cm、濺射氣壓為0.8 Pa、濺射時(shí)間為2.12~6.36min、氬氣流量為60 sccm、濺射功率為200 W，AZO薄膜的厚度為20~60 nm；
S3、采用射頻磁控濺射方法在步驟S2制備的AZO薄膜表面生長(zhǎng)第二層Ag薄膜，濺射時(shí)腔體溫度為室溫、腔體真空度為3×10-4 Pa、靶基距為8 cm、濺射氣壓為0.8 Pa、濺射時(shí)間為3.3~6.6 s、氬氣流量為60 sccm、濺射功率為200 W，Ag薄膜的厚度為4~8 nm；
S4、依次重復(fù)步驟S2、步驟S3、步驟S2，使第二層Ag薄膜表面上依次 生長(zhǎng)第三層AZO薄膜、第四層Ag薄膜和第五層AZO薄膜，最終得到具有AZO/Ag/AZO/Ag/AZO多層復(fù)合薄膜的柔性透明電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性透明電極的制備方法，其特征在于：步驟S1中每次超聲波清洗的清洗時(shí)間為15~20 min。
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說明：
1、專利原文基于中國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利說明書；
2、支持發(fā)明專利 、實(shí)用新型專利、外觀設(shè)計(jì)專利（升級(jí)中）；
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