[實用新型]一種深紫外LED封裝結構

有效

• 申請號: 201820155005.5
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN207781643U
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 劉國旭;熊志軍
• 申請（專利權）人: 易美芯光（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56
• 代理公司: 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390
• 代理人: 胡劍輝

本實用新型公開了一種深紫外LED封裝結構。深紫外LED封裝結構包括陶瓷支架、深紫外LED芯片、石英玻璃和金屬鍍層；所述陶瓷支架呈碗杯結構，所述深紫外LED芯片設置在所述陶瓷支架內部；所述石英玻璃設置在所述陶瓷支架的上端，且與所述陶瓷支架之間形成密閉腔體；所述金屬鍍層包覆在所述密閉腔體的外表面，但外表面不包括密閉腔體底面以及密閉腔體內部正對的石英玻璃外表面區域。本實用新型通過在密閉腔體的外表面覆蓋金屬鍍層，提高了石英玻璃與陶瓷支架的結合力和密封性；解決了深紫外LED封裝結構長時間工作導致石英玻璃和陶瓷支架的脫離的問題，提高深紫外LED封裝結構的可靠性。

技術領域

本實用新型屬于半導體照明技術領域。更具體地，涉及一種深紫外LED封裝結構。

背景技術

隨著LED封裝技術的進步，市面上深紫外波段的LED已經逐步出現。在紫外線中，波長在200納米至280納米的光線被稱為深紫外線。而深紫外LED因其高效、環保、節能、可靠等優勢，在照明、殺菌、醫療、印刷、生化檢測、高密度的信息儲存和保密通訊等領域具有重大的應用價值，這些優勢是普通的紫外LED所無法比擬的。

深紫外LED對封裝材料和封裝工藝要求極高；用錫膏或金屬鍵合等純無機封裝方式，工藝復雜且制造成本高；在封裝過程中使用有機材料進行粘連封裝則更簡潔經濟；但是LED芯片發出的深紫外線作用于膠體會使膠體粘接力變弱，進而導致粘連失效。例如，申請號為201420396320.0的中國專利公開了一種深紫外LED器件封裝結構，包括陶瓷支架及設在陶瓷支架底座固晶位上的深紫外芯片，深紫外芯片通過銀線連接至正負電極，陶瓷支架1上通過粘接材料粘接有石英透鏡，這種封裝結構存在如下缺陷：(1)粘接材料容易吸收UV光線而引起自身老化，從而導致LED器件發光功率低、可靠性不高；(2)封裝結構比較復雜，制作成本較高，散熱性差，而且陶瓷支架和石英透鏡采用粘接方式進行連接，可靠性也不是很高。因此，如何更進一步提高密封效果是本領域需要克服的技術難題。

實用新型內容

為解決上述技術問題，本實用新型的第一個目的在于提供一種深紫外LED封裝結構。本實用新型的深紫外LED封裝結構通過提高石英玻璃和陶瓷支架的結合力和密封性，解決了現有技術中LED封裝結構經過長時間工作引起的蓋板和基板脫離的技術問題。

本實用新型的第二個目的在于提供一種深紫外LED封裝結構的制備方法。

為達到上述目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種深紫外LED封裝結構，包括陶瓷支架、深紫外LED芯片、石英玻璃和金屬鍍層；

所述陶瓷支架呈碗杯結構，所述深紫外LED芯片設置在所述陶瓷支架內部；所述石英玻璃設置在所述陶瓷支架的上端，且與所述陶瓷支架之間形成密閉腔體；

所述金屬鍍層包覆在所述密閉腔體的外表面，但外表面不包括密閉腔體底面以及密閉腔體內部正對的石英玻璃外表面區域。

本實用新型密閉腔體內部正對的石英玻璃外表面區域是指密閉腔體外部上表面邊緣處以外的區域。

優選地，所述深紫外LED芯片的波長范圍為UVC波段250-280μm、UVA波段320-400nm或者UVB波段280-320nm。

優選地，所述密閉腔體內設有填充氣體，所述填充氣體為填充惰性氣體或氮氣。

優選地，所述陶瓷支架內表面和上表面的全部或部分鍍有用于提高反射率的金屬層；為了更好地提高陶瓷內表面和上表面的反射率，更優選地，所述金屬層為金鍍層或鋁鍍層。

優選地，所述石英玻璃為平板玻璃或者玻璃透鏡；所述玻璃透鏡的發光角度為120°、90°、60°或30°；根據實際需求選擇不同的玻璃透鏡以實現不同的發光角度。