[實用新型]一種高密度等離子體機臺射頻帶連接結構

有效

• 申請號: 201820119366.4
• 申請日: 2018-01-24
• 公開（公告）號: CN207765399U
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 黃彪;劉濤;張波
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本實用新型提供了一種高密度等離子體機臺射頻帶連接結構，包括至少一個的射頻帶，所述射頻帶兩端設置圓弧形連接端，在所述圓弧形連接端上設置有連接孔，在所述射頻帶非圓弧形連接端的部分設置絕緣層；電源供應端，連接所述射頻帶一端；頂部射頻源連接端，連接所述射頻帶。本實用新型的高密度等離子體機臺射頻帶將裸露的射頻帶設置絕緣層做絕緣處理，加裝防火、抗電弧、耐高溫的絕緣層，防止因射頻帶和其它金屬部件接觸而觸發電弧，引發火災及人員傷害。將射頻帶分設置在圓弧形頂端的多個方向，減少射頻帶之間的電弧影響和金屬部件的堆纏。使其不會有漏電的風險，并能穩定固定連接。

技術領域

本實用新型涉及一種半導體設備，尤其涉及一種高密度等離子體機臺射頻帶連接結構。

背景技術

美國泛林半導體設備公司(Lam)的高密度等離子體(High Density Plasma)機臺工藝是在腔體內的高溫環境下,通過對特定的工藝氣體在等離子體增強條件下在硅片表面進行化學氣相沉積形成薄膜。它的特點是成膜速度快，薄膜均勻度好，填洞能力強。現有的高密度等離子體機臺射頻帶為裸露的銅片與圓弧型頂端連接。安裝時，銅片很容易和其它金屬部分接觸，當射頻工作時，就會觸發電弧，有引發火災及人員傷害的風險。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對現有技術的缺陷，提供一種能有效減少射頻帶電弧的高密度等離子體機臺射頻帶連接結構。

本實用新型為解決上述技術問題采用以下技術方案：

一種高密度等離子體機臺射頻帶連接結構，包括至少一個的

射頻帶，所述射頻帶兩端設置圓弧形連接端，在所述圓弧形連接端上設置有連接孔，在所述射頻帶非圓弧形連接端的部分設置絕緣層；

電源供應端，連接所述射頻帶一端；

頂部射頻源連接端，連接所述射頻帶。

為了進一步優化上述技術方案，本實用新型所采取的技術措施為：

優選的，所述射頻帶為條狀射頻帶。

更優選的，所述絕緣層為橡膠材質。

更優選的，所述絕緣層為絕緣橡膠材質。

更優選的，所述電源供應端設置電源供應端螺紋桿。

更優選的，所述電源供應端螺紋桿穿過所述連接孔再螺帽旋緊，將所述電源供應端和射頻帶連接。

更優選的，所述頂部射頻源連接端設置頂部射頻源連接端螺紋桿。

更優選的，所述頂部射頻源連接端螺紋桿穿過所述連接孔再螺帽旋緊，將所述頂部射頻源連接端和射頻帶連接。

更優選的，所述射頻帶、電源供應端和頂部射頻源連接端設置為三個。

本實用新型采用以上技術方案，與現有技術相比，具有如下技術效果：

本實用新型的高密度等離子體機臺射頻帶將裸露的射頻帶設置絕緣層做絕緣處理，加裝防火、抗電弧、耐高溫的絕緣層，防止因射頻帶和其它金屬部件接觸而觸發電弧，引發火災及人員傷害。將射頻帶分設置在圓弧形頂端的多個方向，減少射頻帶之間的電弧影響和金屬部件的堆纏，減少漏電和觸電的可能。并在頂部射頻源連接端和電源供應端設置螺紋桿連接射頻帶，使其不會有漏電的風險，并能穩定固定連接。

附圖說明

圖1為本實用新型的一種優選實施例的高密度等離子體機臺射頻帶連接結構的結構示意圖；

圖2為本實用新型的一種優選實施例的射頻帶的結構示意圖；

其中的附圖標記為：