[實用新型]一種在真空環境下轉移大面積二維材料的轉移平臺有效
| 申請號: | 201820102682.0 | 申請日: | 2018-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN207938577U | 公開(公告)日: | 2018-10-02 |
| 發明(設計)人: | 包文中;張思夢;昝武;周鵬;張衛 | 申請(專利權)人: | 復旦大學 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陸飛;陸尤 |
| 地址: | 200433 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空密封箱 抽真空閥門 二維材料 貫通裝置 真空泵 放氣閥門 真空環境 轉移平臺 頂蓋 真空計 底架 頂架 轉軸 本實用新型 二維半導體 金屬材料 材料界面 材料領域 真空密封 加熱臺 可轉移 豎直 下端 加熱 引入 貫穿 傷害 | ||
1.一種在真空環境下轉移大面積二維材料的轉移平臺,其特征在于,所述轉移平臺包括加熱臺、真空密封箱、Z軸方向真空貫通裝置、真空泵、底架、頂架、抽真空閥門、放氣閥門和真空計;
所述真空密封箱放置在加熱臺上,所述真空密封箱包括金屬材料的底部、耐高溫透明材料的側壁,以及密封頂蓋,所述頂蓋可打開;所述真空密封箱底部的中心設有凹槽;
所述Z軸方向真空貫通裝置的內部包括轉動Z軸方向真空貫通裝置的轉軸,所述轉軸豎直貫穿Z軸方向真空貫通裝置,并延伸出Z軸方向真空貫通裝置的上下兩端;所述Z軸方向真空貫通裝置豎直貫穿真空密封箱頂蓋;
所述頂架固定在轉軸的下端,正對真空密封箱底部的凹槽;所述頂架由表面平整的金屬材料制成,頂架下表面有定位用的十字標記;所述底架固定在真空密封箱底部的凹槽中;所述底架由導熱性良好的金屬材料制成,表面平整,底架上表面有定位用的十字標記;
所述抽真空閥門、放氣閥門和真空計分別安裝在真空密封箱上;所述抽真空閥門通過接真空泵的管路與真空泵相連。
2.根據權利要求1所述的在真空環境下轉移大面積二維材料的轉移平臺,其特征在于,所述Z軸方向真空貫通裝置能在豎直方向直線移動,并且不會影響真空密封箱的真空度。
3.根據權利要求2所述的在真空環境下轉移大面積二維材料的轉移平臺,其特征在于,所述Z軸方向真空貫通裝置為不銹鋼粗螺紋結構。
4.根據權利要求1所述的在真空環境下轉移大面積二維材料的轉移平臺,其特征在于,所述頂蓋四周有密封橡膠圈。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





