[實用新型]太陽能電池片的電極結構及相應的太陽能電池片有效
| 申請號: | 201820045704.4 | 申請日: | 2018-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN207909885U | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發明(設計)人: | 周東;何悅;王在發;任勇 | 申請(專利權)人: | 尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/042 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柵線段 太陽能電池片 副柵線 電極結構 主柵線 本實用新型 緩沖區 縱向軸線 上底邊 下底邊 電池轉換效率 遮光 平行 垂直 | ||
本實用新型涉及一種太陽能電池片的電極結構,所述的副柵線設置有緩沖區,所述的緩沖區包括至少兩個梯形柵線段,所述的至少兩個梯形柵線段包括第一梯形柵線段和第二梯形柵線段,所述的第一梯形柵線段包括平行于所述的主柵線的縱向軸線設置且位于所述的主柵線上的下底邊,第二梯形柵線段包括垂直于所述的副柵線的縱向軸線且位于所在副柵線的上底邊,第一梯形柵線段的上底邊大于或等于所述的第二梯形柵線段的下底邊,且所述的第一梯形柵線段的腰的斜率小于所述的第二梯形柵線段的腰的斜率。采用了本實用新型的太陽能電池片的電極結構及相應的太陽能電池片,一方面可以實現主柵線和副柵線之間更好的過渡,另一方面不增加遮光,提高電池轉換效率。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池領域,具體是指一種太陽能電池片的電極結構及相應的太陽能電池片。
背景技術
太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能的裝置,可以長期使用,具有永久性、清潔性和靈活性三大優點,而太陽能又是取之不盡用之不竭的清潔能源,如果能夠充分利用太陽能發電,降低傳統的化石燃料的發電將大大降低污染同時會緩解傳統能源的消耗;近年來隨著太陽能電池技術進步及轉換效率的提升,光伏發電的度電成本大幅降低為大力推廣光伏發電創造了極為有利條件。
太陽能電池主要以半導體硅片為基體,通過物理及化學方法制備出表面類似金字塔的絨面,然后通過擴散技術制造PN結、邊緣刻蝕及等離子體PECVD技術在其表面沉積氮化硅或者氮氧化硅的減反射膜,再通過印刷技術印刷相關的電極圖形通過燒結技術制作成電池。
通過印刷技術制作電極,包括正電極和負電極,其主要作用是將半導體光伏電池內部產生的電流收集起來,并引出到外電路;制作太陽能電極的材料一般為銀漿,主要成分由銀粉、玻璃粉及有機載體組成,傳統電極印刷一般通過印刷擠壓的方式使電極漿料通過網版上特定圖形印刷到載體上。
印刷的電極一方面要收集電流但另外一方面要降低遮光,所以在保證電流收集的前提下需要實現更低的印刷線寬以便降低遮光,增加光的吸收,提升電池功率;但印刷柵線寬度的降低增加了印刷難度,當線寬低到一定程度時會導致印刷的柵線會有較多的斷開尤其是主柵線同副柵線交接處會有大量的斷開,原因是主柵線圖形設計寬度較大(10~20倍副柵寬度) 有很多的漿料印刷在載體上,交接處的副柵設計寬度較小印刷難度比較大,在兩者交界的地方很容易斷開;所以在保證更細副柵線印刷前提下如何降低主柵和副柵線交界處的斷開尤為重要。
如圖1所示,為一種現有技術的太陽能電池片的印刷圖形,其中圖示1為主柵線,2為副柵線,主柵線線寬設計寬度一般為副柵線的10~50倍,因此主柵線與副柵線交界處由于印刷難度的突增比較容易出現柵線斷開的問題;現有技術中還存在其他形式的印刷圖形,但主柵線和副柵線連接處比較容易斷開的問題得到緩解還未解決,同時還容易造成副柵線其他區域的斷開,導致遮光的進一步增加,降低電池轉換效率。
實用新型內容
本實用新型的目的是克服了上述現有技術的缺點,提供了一種在盡可能實現更細副柵線印刷的前提下減少印刷過程中主柵與副柵交界處的斷開的太陽能電池片的電極結構及相應的太陽能電池片。
為了實現上述目的,本實用新型的太陽能電池片的電極結構具有如下構成:
所述的電極結構包括主柵線和副柵線,所述的副柵線設置有緩沖區,所述的副柵線通過所述的緩沖區與所述的主柵線相連接,所述的緩沖區包括至少兩個梯形柵線段,所述的至少兩個梯形柵線段包括第一梯形柵線段和第二梯形柵線段,
所述的第一梯形柵線段包括平行于所述的主柵線的縱向軸線設置且位于所述的主柵線上的下底邊,所述的第二梯形柵線段包括垂直于所述的副柵線的縱向軸線且位于所在副柵線的上底邊,所述的第一梯形柵線段的上底邊大于或等于所述的第二梯形柵線段的下底邊,且所述的第一梯形柵線段的腰的斜率小于所述的第二梯形柵線段的腰的斜率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





