[發(fā)明專利]一種熱激活延遲熒光化合物及其應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811650147.X | 申請日: | 2018-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN109705132A | 公開(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝再鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 瑞聲科技(南京)有限公司 |
| 主分類號: | C07D493/04 | 分類號: | C07D493/04;C07D495/04;C07F7/08;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 210093 江蘇省南京市漢口*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熒光化合物 熱激活 延遲 單線態(tài) 能級差 三線態(tài) 有機電致發(fā)光材料 光輻射 單線態(tài)激子 三線態(tài)激子 電子躍遷 發(fā)光效率 反向間隙 躍遷 應(yīng)用 概率 | ||
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種熱激活延遲熒光化合物及其應(yīng)用。本發(fā)明所提供的熱激活延遲熒光化合物,其單線態(tài)與三線態(tài)能級差較小,有利于提高三線態(tài)激子向單線態(tài)激子的反向間隙竄越概率;另外,在保持較低的單線態(tài)與三線態(tài)能級差的同時,本發(fā)明所提供的熱激活延遲熒光化合物還具有較高的S1至S0電子躍遷陣子強度,使得該種熱激活延遲熒光化合物具有較高的光輻射躍遷速率,有利于提高化合物的發(fā)光效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種熱激活延遲熒光化合物及其應(yīng)用。
背景技術(shù)
有機電致發(fā)光材料分為熒光電致發(fā)光材料和磷光電致發(fā)光材料。其中,磷光電致發(fā)光材料可以通過重金屬效應(yīng)利用到全部激子的能量,因而具有更大的優(yōu)越性。2009年,熱激活延遲熒光化合物,即TADF(Thermally activated delayed fluorescence)材料,被提出并應(yīng)用于有機電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域。該類熒光化合物在熱激發(fā)下能利用三線態(tài)激子的反向間隙竄越,獲得100%單線態(tài)激子,既避免了使用昂貴的重金屬配合物,且器件效率可與磷光器件相媲美。自此,熒光材料又重新引起研究者的關(guān)注。
但是,現(xiàn)有的熱激活延遲熒光化合物及以其制備的器件還存在很多不足,如材料種類比較有限、器件的穩(wěn)定性有待提高等。相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)中,為了設(shè)計熱激活延遲熒光化合物、并實現(xiàn)較低的ΔEST,就需要通過將分子中的HOMO和LUMO軌道進行嚴(yán)格的完全分離,實現(xiàn)這種分離的技術(shù)就是在分子中的推電子單元和吸電子單元中間采用阻隔單元設(shè)計。這樣的傳統(tǒng)分子設(shè)計雖然獲得了理想的ΔEST值,但完全的HOMO與LUMO軌道分離和阻隔單元的嵌入,造成了分子中的HOMO與LUMO中電子交換積分趨近于0,即分子中的輻射躍遷速率常數(shù)Kr@S1->S變小,不利于分子的發(fā)光效率提升。此外中間阻隔單元造成分子結(jié)構(gòu)比較柔性,從而降低了分子的光輻射躍遷常數(shù)和躍遷時的陣子強度(Kr正比于陣子強度f)。
因此有必要提供一種不但具有較低的ΔEST,并且保持較佳的發(fā)光效率、以及較高的分子光輻射躍遷陣子強度的熱激活延遲熒光化合物。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于為克服上述不足提供一種熱激活延遲熒光化合物及其應(yīng)用,該種熱激活延遲熒光化合物的ΔEST(單線態(tài)與三線態(tài)能級差)較低,且具有較高的S1至S0電子躍遷陣子強度以及較高的光輻射躍遷速率。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的實施方式提供了一種熱激活延遲熒光化合物,其具有式(Ⅰ)或式(II)所示的結(jié)構(gòu):
其中,
X1、X2同為O或X1、X2同為S;
R1、R2各自獨立地選自氫原子、氘原子、鹵素、取代或未取代的C1-C8烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C5-C36雜芳基、取代或未取代的氨基;
D具有式(III)所示的結(jié)構(gòu):
式(III)中,
R3、R4、R5、R6各自獨立地選自氫原子、氘原子、取代或未取代的C1-C8烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C5-C36雜芳基、取代或未取代的氨基,且R3、R4、R5、R6各自獨立地為1-4個;
X3選自C或Si。
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