[發(fā)明專利]量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法及量子點(diǎn)墨水

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811639169.6
• 申請(qǐng)日: 2018-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN111384268B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張節(jié);向超宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/54;C09D11/50
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

本發(fā)明提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，包括：提供量子點(diǎn)墨水，所述量子點(diǎn)墨水包括溶劑體系和分散在溶劑體系中的量子點(diǎn)，其中，所述溶劑體系包括非極性溶劑和摻雜化合物；提供陰極基板或陽極基板，在所述陰極基板或所述陽極基板上沉積所述量子點(diǎn)墨水后進(jìn)行光照處理，退火制備得到量子點(diǎn)發(fā)光層，其中，所述摻雜化合物為經(jīng)光照處理后能光解為離子的化合物。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)(quantum dots)，又稱半導(dǎo)體納米晶，其三維尺寸均在納米范圍內(nèi) (1-100nm)，是一種介于體相材料和分子間的納米顆粒論。量子點(diǎn)具有量子產(chǎn)率高、摩爾消光系數(shù)大、光穩(wěn)定性好、窄半峰寬、寬激發(fā)光譜和發(fā)射光譜可控等優(yōu)異的光學(xué)性能，非常適合用作發(fā)光器件的發(fā)光材料。近年來，量子點(diǎn)熒光材料由于其光色純度高、發(fā)光顏色可調(diào)、使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，廣泛被看好用于平板顯示領(lǐng)域，成為極具潛力的下一代顯示和固態(tài)照明光源。量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes QLED)是基于量子點(diǎn)材料作為發(fā)光材料的發(fā)光器件，由于其具有波長可調(diào)、發(fā)射光譜窄、穩(wěn)定性高、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高等優(yōu)點(diǎn)，成為下一代顯示技術(shù)的有力競(jìng)爭(zhēng)者。

在溶液法制備QLED器件的過程中，由于各功能層之間的材料差異，不可避免地會(huì)導(dǎo)致相鄰層之間存在一定的兼容性問題，特別是量子點(diǎn)發(fā)光層與相鄰的電子傳輸層(特別是氧化鋅層)之間的兼容性問題較為嚴(yán)重。兼容性差的量子點(diǎn)發(fā)光層與電子功能層(特別是氧化鋅層)容易在界面形成鼓包，影響器件成膜性能，進(jìn)而影響量子點(diǎn)發(fā)光二極管的光效。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，旨在解決現(xiàn)有的量子點(diǎn)發(fā)光二極管量子點(diǎn)發(fā)光層與相鄰層之間的兼容性較差，影響量子點(diǎn)發(fā)光二極管的光效的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，包括以下步驟：

提供量子點(diǎn)墨水，所述量子點(diǎn)墨水包括溶劑體系和分散在溶劑體系中的量子點(diǎn)，其中，所述溶劑體系包括非極性溶劑和摻雜化合物；

提供陰極基板或陽極基板，在所述陰極基板或所述陽極基板上沉積所述量子點(diǎn)墨水后進(jìn)行光照處理，退火制備得到量子點(diǎn)發(fā)光層，其中，所述摻雜化合物為經(jīng)光照處理后能光解為離子的化合物。

本發(fā)明提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，提供的量子點(diǎn)墨水中含有對(duì)光敏感的摻雜化合物，將所述量子點(diǎn)墨水沉積在所述基板上后進(jìn)行光照處理。所述摻雜化合物在光照條件下發(fā)生變化，可轉(zhuǎn)化為離子，從而使沉積所述基板表面的量子點(diǎn)墨水的接觸角變小，形成在基板表面的量子點(diǎn)發(fā)光層表面膜層更平整，進(jìn)而提高量子點(diǎn)發(fā)光層與相鄰層之間的相容性，提高量子點(diǎn)發(fā)光二極管的光效。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。

如附圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，包括以下步驟：

S10.提供量子點(diǎn)墨水，所述量子點(diǎn)墨水包括溶劑體系和分散在溶劑體系中的量子點(diǎn)，其中，所述溶劑體系包括非極性溶劑和摻雜化合物；