[發明專利]一種高亮度側鍍倒裝LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201811636105.0
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109545937A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 曠明勝;徐亮;莊家銘
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/00;B23K26/38
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

1.一種高亮度側鍍倒裝LED芯片，其特征在于，包括襯底、發光結構、切割道、第一孔洞、第二孔洞、第一金屬支撐層、第二金屬支撐層、第一電極、第二電極、第一絕緣層、第二絕緣層和側鍍金屬層，所述發光結構包括依次設于襯底上的第一半導體層、有源層、第二半導體層、透明導電層和金屬反射層，所述切割道位于發光結構的邊緣，所述第一孔洞從金屬反射層刻蝕至第一半導體層，所述第二孔洞從金屬反射層刻蝕至第二半導體層的表面，所述第一絕緣層覆蓋在發光結構的表面及側壁，且延伸至第一孔洞和第二孔洞的側壁，所述第一金屬支撐層填充在第一孔洞內并延伸至第一絕緣層的表面，所述第二金屬支撐層填充在第二孔洞內并延伸至第一絕緣層的表面，第一金屬支撐層和第二金屬支撐層相互絕緣，所述第二絕緣層覆蓋在第一金屬支撐層、第二金屬支撐層、第一絕緣層的表面和側壁，第二絕緣層的側表面與襯底的側表面齊平，所述第一電極與第一金屬支撐層連接，所述第二電極與第二金屬支撐層連接，所述側鍍金屬層覆蓋在襯底和第二絕緣層的側壁。

2.如權利要求1所述的高亮度側鍍倒裝LED芯片，其特征在于，所述側鍍金屬層由Ag和/或Al制成，所述側鍍金屬層的厚度為4000-18000埃。

3.一種高亮度側鍍倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供LED晶圓，所述LED晶圓包括襯底以及多個設于襯底上的發光微結構；

對LED晶圓的襯底進行激光切割，形成無切割裂縫；

將切割后的LED晶圓放置在薄膜上，并對切割后的LED晶圓進行黃光處理，形成光刻膠掩膜；

對黃光處理后的LED晶圓進行裂片、擴膜，形成多顆芯粒，并將芯粒翻轉至耐高溫的薄膜上，使得芯粒的襯底朝上；

在芯粒的側壁沉積形成一層側鍍金屬層；

除去襯底上的光刻膠掩膜和金屬。

4.如權利要求3所述的高亮度側鍍倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，形成側鍍金屬層的方法包括：將LED晶圓傾斜0-30°，采用蒸鍍法在芯粒的側壁沉積形成一層側鍍金屬層。

5.如權利要求4所述的高亮度側鍍倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，通入流量為10-20sccm的惰性氣體，其中，所述惰氣體為氮氣和/或氬氣。

6.如權利要求3所述的高亮度側鍍倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，擴膜后的薄膜面積是原來薄膜面積的1.3-1.8倍。

7.如權利要求3所述的高亮度側鍍倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述黃光處理包括以下步驟：

在LED晶圓的襯底上涂覆光刻膠，形成光刻膠掩膜；

將LED晶圓烘干；

對烘干后的LED晶圓進行曝光。

8.如權利要求3所述的高亮度側鍍倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述LED晶圓的制作方法包括以下步驟：

在襯底上形成發光結構，所述發光結構包括依次設于襯底上的第一半導體層、有源層、第二半導體層、透明導電層和金屬反射層；

對發光結構進行刻蝕，形成切割道、第一孔洞和第二孔洞；

形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋在發光結構的表面及側壁，且延伸至第一孔洞和第二孔洞的側壁；

形成第一金屬支撐層和第二金屬支撐層，所述第一金屬支撐層填充在第一孔洞內并延伸至第一絕緣層的表面，所述第二金屬支撐層填充在第二孔洞內并延伸至第一絕緣層的表面，第一金屬支撐層和第二金屬支撐層相互絕緣；

形成第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋在第一金屬支撐層、第二金屬支撐層、第一絕緣層的表面和側壁；

形成第一電極和第二電極，所述第一電極與第一金屬支撐層連接，所述第二電極與第二金屬支撐層連接。

9.如權利要求8所述的高亮度側鍍倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，第二絕緣層的側面與襯底的側面齊平。

10.如權利要求3所述的高亮度側鍍倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述側鍍金屬層由Ag和/或Al制成，所述側鍍金屬層的厚度為4000-18000埃。