[發明專利]電致變色玻璃及其制備方法在審
| 申請號: | 201811631724.0 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN109491171A | 公開(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發明(設計)人: | 曾小綿;白振中;葉光岱 | 申請(專利權)人: | 廣東旗濱節能玻璃有限公司;深圳市新旗濱科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/153 | 分類號: | G02F1/153;G02F1/15;G02F1/157 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 517000 廣東省河*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調色 組合層 電致變色玻璃 膜層 電致變色層 玻璃基層 透明導電層 第一膜層 硅層 制備 銅鋁復合氧化物 離子儲存層 銅鋁合金層 鋰離子導體 玻璃顏色 氮化硅層 銅銀合金 氧化硅層 氧化物層 變色層 氮化硼 透光率 氧化硼 可調 銅層 銀層 增設 | ||
1.一種電致變色玻璃,其特征在于,包括:
玻璃基層;
調色組合層,鍍于所述玻璃基層的一側,所述調色組合層中從靠近所述玻璃基層的一側到相對的另一側依次包括第一膜層、第二膜層和第三膜層,所述第一膜層包括氮化硅層和氮化硼硅層中的至少一種,所述第二膜層包括銅層、銀層、銅銀合金層、銅鋁合金層、銅的氧化物層和銅鋁復合氧化物層中的至少一種,所述第三膜層包括氧化硅層和氧化硼硅層中的至少一種;
電致變色層,鍍于所述調色組合層的背向所述玻璃基層的一側,所述電致變色層中從靠近所述調色組合層的一側到相對的另一側依次包括第一透明導電層、變色層、鋰離子導體層、離子儲存層和第二透明導電層。
2.如權利要求1所述的電致變色玻璃,其特征在于,所述調色組合層的總厚度為5.3~300nm,其中所述第一膜層的厚度為3~120nm,所述第二膜層的厚度為0.3~40nm,所述第三膜層的厚度為2~140nm。
3.如權利要求2所述的電致變色玻璃,其特征在于,所述第一膜層的厚度范圍為30~60nm,所述第二膜層的厚度范圍為2~4.5nm,所述第三膜層的厚度范圍為45~75nm,所述第三膜層的厚度與所述第一膜層的比值范圍為1.3~1.4。
4.如權利要求2所述的電致變色玻璃,其特征在于,所述第一膜層的厚度范圍為25~45nm,所述第二膜層的厚度范圍為2~4.2nm,所述第三膜層的厚度范圍為60~95nm,所述第三膜層的厚度與所述第一膜層的比值范圍為2.12~2.14。
5.如權利要求2所述的電致變色玻璃,其特征在于,所述調色組合層中,所述第一膜層的厚度范圍為25~46nm,所述第二膜層的厚度范圍為1.5~3.8nm,所述第三膜層的厚度范圍為35~60nm,所述第三膜層的厚度與所述第一膜層的比值范圍為1.2~1.3。
6.如權利要求1所述的電致變色玻璃,其特征在于,所述調色組合層還包括鋯層和氧化鋯層,所述鋯層鍍于所述第二膜層的背向所述第一膜層的一側;所述氧化鋯層鍍于所述鋯層的背向所述第二膜層的一側;所述第三膜層鍍于所述氧化鋯層的背向所述鋯層的一側。
7.如權利要求6所述的電致變色玻璃,其特征在于,所述調色組合層的總厚度為5~300nm,其中所述第一膜層的厚度為1.4~110nm,所述第二膜層的厚度為0.3~35nm,所述鋯層的厚度為0.3~20nm,所述氧化鋯層的厚度為1~15nm,所述第三膜層的厚度為2~120nm。
8.如權利要求1至7任意一項所述的電致變色玻璃,其特征在于,所述玻璃基層的厚度為2~19mm,所述第一透明導電層的厚度為140~700nm,所述變色層的厚度為30~100nm,所述鋰離子導體層的厚度為50~650nm,所述離子儲存層的厚度為200~400nm,所述第二透明導電層的厚度為100~500nm。
9.一種電致變色玻璃的制備方法,用于制備如權利要求1至7任意一項所述的電致變色玻璃,其特征在于,所述制備方法包括:
在真空環境下利用靶材對玻璃基層表面進行磁控濺射,依次濺射形成第一膜層、第二膜層、第三膜層、第一透明導電層、變色層、鋰離子導體層、離子儲存層和第二透明導電層。
10.如權利要求9所述的電致變色玻璃的制備方法,其特征在于,在濺射第三膜層之前還包括以下步驟:在真空環境下利用靶材對第二膜層的表面進行磁控濺射,依次濺射形成鋯層和氧化鋯層。
11.如權利要求9所述的電致變色玻璃的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括:在第一透明導電層形成過程中,對所述玻璃基層進行加熱,且加熱溫度為350℃~400℃;在所述變色層形成過程中,對所述玻璃基層進行加熱,且加熱溫度為300℃~330℃;在所述離子儲存層形成過程中,對所述玻璃基層進行加熱,且加熱溫度為350℃~400℃;在所述第二透明導電層形成過程中,對所述玻璃基層進行加熱,且加熱溫度為350℃~400℃。
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