[發(fā)明專利]一種壓應(yīng)變PMOS器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811619947.5
• 申請(qǐng)日: 2018-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN111384157A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉奕晨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/16
• 分類號(hào): H01L29/16;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 孫濤濤

1.一種壓應(yīng)變PMOS器件，其特征在于，包括：Si襯底(101)、Ge外延層(102)、Ge溝道層(103)、柵極(104)、SiGe層(105)、源區(qū)(106)、漏區(qū)(107)、源極(108)、漏極(109)和介質(zhì)層(110)；其中，

所述Ge外延層(102)和所述Ge溝道層(103)依次設(shè)置于所述Si襯底(101)上；所述柵極(104)設(shè)置于所述Ge溝道層(103)表面中間位置處；所述SiGe層(105)設(shè)置于所述Ge溝道層(103)表面且位于所述柵極(104)外側(cè)；所述源區(qū)(106)和所述漏區(qū)(107)分別設(shè)置于所述SiGe層(105)外側(cè)的所述Ge溝道層(103)內(nèi)；所述源極(108)設(shè)置于所述源區(qū)(106)上；所述漏極(109)設(shè)置于和所述漏區(qū)(107)上；所述介質(zhì)層(110)設(shè)置于所述Ge溝道層(103)、所述SiGe層(105)、所述源區(qū)(106)、所述漏區(qū)(107)和所述柵極(104)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述Si襯底(101)為N型Si襯底，厚度為2μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述Ge外延層(102)的厚度為460nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述Ge溝道層(103)為N型Ge溝道層，摻雜濃度為3×10¹⁶cm^-3，厚度為910nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述柵極(104)包括柵介質(zhì)層和柵接觸層；其中，所述柵介質(zhì)層的材料為HfO₂，厚度為10nm；所述柵接觸層的材料為Al-Cu，厚度為20nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述SiGe層(105)的厚度為10nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述源極(108)和漏極(109)的厚度為45nm。