[發(fā)明專利]一種小回滯雙向瞬態(tài)電壓抑制器及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811619461.1
• 申請(qǐng)日: 2018-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109698195B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁海蓮;朱玲;顧曉峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江南大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 哈爾濱市陽(yáng)光惠遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23211
• 代理人: 張勇

1.一種小回滯雙向瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述抑制器由P襯底(101)、第一高壓深N阱(102)、第二高壓深N阱(103)、第一N阱(104)、第一P阱(105)、第二N阱(106)、第二P阱(107)、第三N阱(108)、第三P阱(109)、第四N阱(110)、第一N+注入?yún)^(qū)(111)、第一P+注入?yún)^(qū)(112)、第二P+注入?yún)^(qū)(113)、第三P+注入?yún)^(qū)(114)、第二N+注入?yún)^(qū)(115)、第一多晶硅柵(116)及其覆蓋的第一薄柵氧化層(117)和第二多晶硅柵(118)及其覆蓋的第二薄柵氧化層(119)構(gòu)成；

在P襯底(101)的表面區(qū)域從左至右依次設(shè)有第一高壓深N阱(102)和第二高壓深N阱(103)，P襯底(101)的左側(cè)邊緣與第一高壓深N阱(102)的左側(cè)相連，P襯底(101)的右側(cè)邊緣與第二高壓深N阱(103)的右側(cè)相連；第一高壓深N阱(102)與第二高壓深N阱(103)之間設(shè)有一間距；

在第一高壓深N阱(102)的表面區(qū)域從左至右依次設(shè)有第一N阱(104)和第一P阱(105)，第一N阱(104)的左側(cè)與第一高壓深N阱(102)的左側(cè)相連，第一N阱(104)的右側(cè)與第一P阱(105)的左側(cè)相連；

第二N阱(106)橫跨在第一高壓深N阱(102)和P襯底(101)的表面區(qū)域，第一P阱(105)的右側(cè)與第二N阱(106)的左側(cè)相連，第二N阱(106)的右側(cè)與第二P阱(107)的左側(cè)相連；

第三N阱(108)橫跨在P襯底(101)和第二高壓深N阱(103)的表面區(qū)域，第二P阱(107)的右側(cè)與第三N阱(108)的左側(cè)相連；

在第二高壓深N阱(103)的表面區(qū)域從左至右依次設(shè)有第三P阱(109)和第四N阱(110)，第三N阱(108)的右側(cè)與第三P阱(109)的左側(cè)相連，第三P阱(109)的右側(cè)與第四N阱(110)的左側(cè)相連，第四N阱(110)的右側(cè)與第二高壓深N阱(103)的右側(cè)相連；

在第一N阱(104)的表面區(qū)域從左至右依次設(shè)有第一N+注入?yún)^(qū)(111)、第一P+注入?yún)^(qū)(112)和第一多晶硅柵(116)及其覆蓋的第一薄柵氧化層(117)，第一P+注入?yún)^(qū)(112)的右側(cè)與第一多晶硅柵(116)及其覆蓋的第一薄柵氧化層(117)的左側(cè)相連，第一多晶硅柵(116)及其覆蓋的第一薄柵氧化層(117)的右側(cè)與第二P+注入?yún)^(qū)(113)的左側(cè)相連；第一N+注入?yún)^(qū)(111)和第一P+注入?yún)^(qū)(112)之間設(shè)有一間距；

第二P+注入?yún)^(qū)(113)橫跨在第一N阱(104)、第一P阱(105)、第二N阱(106)、第二P阱(107)、第三N阱(108)、第三P阱(109)和第四N阱(110)的表面區(qū)域；

在第四N阱(110)的表面區(qū)域從左至右依次設(shè)有第二多晶硅柵(118)及其覆蓋的第二薄柵氧化層(119)、第三P+注入?yún)^(qū)(114)和第二N+注入?yún)^(qū)(115)，第二P+注入?yún)^(qū)(113) 的右側(cè)與第二多晶硅柵(118)及其覆蓋的第二薄柵氧化層(119)的左側(cè)相連，第二多晶硅柵(118)及其覆蓋的第二薄柵氧化層(119)的右側(cè)與第三P+注入?yún)^(qū)(114)的左側(cè)相連；第三P+注入?yún)^(qū)(114)和第二N+注入?yún)^(qū)(115)之間設(shè)有一間距；

第一N+注入?yún)^(qū)(111)與第一金屬1(201)相連，第一P+注入?yún)^(qū)(112)與第二金屬1(202)相連，第一多晶硅柵(116)與第三金屬1(203)相連，第二多晶硅柵(118)與第四金屬1(204)相連，第三P+注入?yún)^(qū)(114)與第五金屬1(205)相連，第二N+注入?yún)^(qū)(115)與第六金屬1(206)相連；

第一金屬1(201)、第二金屬1(202)和第三金屬1(203)均與第七金屬1(207)相連，從第七金屬1(207)引出第一電極(301)，用作抑制器的金屬陽(yáng)極；

第四金屬1(204)、第五金屬1(205)和第六金屬1(206)均與第八金屬1(208)相連，從第八金屬1(208)引出第二電極(302)，用作抑制器的金屬陰極。