[發(fā)明專利]一種用于ESD防護(hù)的肖特基鉗位SCR器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811617793.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109698194B | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 喬明;齊釗;梁龍飛;何林蓉;張發(fā)備;童成偉;張波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02 |
| 代理公司: | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖歡;葛啟函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 esd 防護(hù) 肖特基鉗位 scr 器件 | ||
1.一種用于ESD防護(hù)的肖特基鉗位SCR器件,其特征在于,包括:P型襯底(01)、P型襯底(01)上方的p阱區(qū)(02)和n阱區(qū)(03),且p阱區(qū)(02)和n阱區(qū)(03)相切,在p阱區(qū)(02)內(nèi)部的第一n+注入層(21)與第一p+注入層(11),在n阱區(qū)(03)內(nèi)部的第三n+注入層(23)及第二p+注入層(12),跨接在n阱區(qū)(03)和p阱區(qū)(02)之間的用于降低擊穿電壓的第二n+注入層(22),第一金屬孔(31)與第三n+注入層(23)相接觸,第二金屬孔(32)與第二p+注入層(12)相接觸,第三金屬孔(33)與第一p+注入層(11)相接觸,第四金屬孔(34)與第一n+注入層(21)相接觸,第五金屬孔(35)直接與p阱區(qū)(02)相接形成肖特基接觸,構(gòu)成P型肖特基二極管(103)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于ESD防護(hù)的肖特基鉗位SCR器件,其特征在于:在第二金屬孔(32)的左側(cè)n阱區(qū)上方設(shè)有第六金屬孔(36),第六金屬孔(36)與n阱區(qū)(03)接觸形成N型肖特基二極管(104)。
3.一種用于ESD防護(hù)的肖特基鉗位SCR器件,其特征在于:包括:P型襯底(01)、P型襯底(01)上方的p阱區(qū)(02)和n阱區(qū)(03),且p阱區(qū)(02)和n阱區(qū)(03)相切,在p阱區(qū)(02)內(nèi)部相切的第一n+注入層(21)與第一p+注入層(11),在n阱區(qū)(03)內(nèi)部的第三n+注入層(23)及第二p+注入層(12),跨接在n阱區(qū)(03)和阱區(qū)(02)之間的用于降低擊穿電壓的第二n+注入層(22),第一金屬孔(31)與第三n+注入層(23)相接觸,第二金屬孔(32)與第二p+注入層(12)相接觸,第三金屬孔(33)與第一p+注入層(11)相接觸,第四金屬孔(34)與第一n+注入層(21)相接觸,在第二金屬孔(32)左側(cè)設(shè)有第六金屬孔(36),第六金屬孔(36)與n阱區(qū)(03)接觸形成N型肖特基二極管(104)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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