[發明專利]一種聲場質點振速敏感結構及制備方法

在審

• 申請號: 201811610266.2
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN109696236A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 劉云飛;周瑜;馮杰
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三研究所
• 主分類號: G01H11/06
• 分類號: G01H11/06;G01P3/50;B81C1/00
• 代理公司: 北京天盾知識產權代理有限公司 11421
• 代理人: 張彩珍

1.一種聲場質點振速敏感結構，硅襯底上形成有橋孔，橋孔的兩側分別設有電極，兩側的電極之間設有薄絲，其特征在于：所述薄絲為多個薄絲，并且對應每個薄絲，在橋孔的兩側相應各設有1個電極；所述多個薄絲中位于最外側的薄絲為通電加熱薄絲，其余薄絲為敏感薄絲；所述聲場質點振速敏感結構為單側非等間距橋式薄絲敏感結構。

2.根據權利要求1所述的聲場質點振速敏感結構，其特征在于：所述多個薄絲由外至內排列，薄絲間距由外至內逐步變大。

3.根據權利要求1或2所述的聲場質點振速敏感結構，其特征在于：通電加熱薄絲的寬度大于敏感薄絲的寬度。

4.根據權利要求3所述的聲場質點振速敏感結構，其特征在于：各敏感薄絲的寬度、結構及材料相同。

5.根據權利要求4所述的聲場質點振速敏感結構，其特征在于：通電加熱薄絲的寬度為8～10μm，敏感薄絲的寬度為1～2μm。

6.根據權利要求2所述的聲場質點振速敏感結構，其特征在于：所述薄絲的間距為10～500μm。

7.根據權利要求4所述的聲場質點振速敏感結構，其特征在于：各薄絲的厚度相同，均為0.1μm～0.5μm。

8.根據權利要求1所述的聲場質點振速敏感結構，其特征在于：所述薄絲包括由下至上依次布置的支撐層、黏附層和敏感層。

9.根據權利要求8所述的聲場質點振速敏感結構，其特征在于：所述薄絲的敏感層由金屬材料、半導體材料、石墨烯二維材料中的一種、兩種或三種材料構成。

10.一種權利要求1至9任何一項所述聲場質點振速敏感結構的制備方法，包括如下步驟：

步驟1：在硅襯底上依次沉積氧化硅和氮化硅支撐層；

步驟2：進行第一次涂膠、光刻和顯影，定義出聲場質點振速敏感結構的薄絲、電極；

步驟3：依次淀積黏附層和敏感層；

步驟4：剝離光刻膠，以形成所設計的敏感結構；

步驟5：進行第二次涂膠、光刻和顯影，定義出聲場環境通路所需的橋孔結構；

步驟6：進行干法刻蝕，依次刻蝕去掉沒被光刻膠覆蓋的支撐層材料，被光刻膠覆蓋的支撐層將作為隨后進行的深硅濕法腐蝕過程的硬掩蔽層；

步驟7：硅襯底各項異性濕法腐蝕，形成橋孔結構；

步驟8：最后進行劃片、引線鍵合及封裝，得到成品。