[發(fā)明專利]光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811607228.1
• 申請(qǐng)日: 2018-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109659231B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟祥國(guó);陸連;李文杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于，該方法至少包括：

步驟一、提供一具有非有源區(qū)和有源區(qū)的襯底，使所述有源區(qū)上表面暴露，并且使所述非有源區(qū)覆蓋光刻膠；

步驟二、使所述有源區(qū)上表面氧化，形成自然氧化層；

步驟三、將所述自然氧化層氮化形成第一鈍化層，用于抑制所述自然氧化層的生長(zhǎng)；

步驟四、提供等離子體，用所述等離子體去除所述光刻膠；

步驟五、去除所述光刻膠后，所述第一鈍化層成為第二鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述步驟一中的非有源區(qū)包含凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)以及位于所述多晶硅結(jié)構(gòu)頂部的硬質(zhì)掩模層，所述多晶硅結(jié)構(gòu)和所述硬質(zhì)掩膜層的側(cè)壁具有氧化硅、依附于所述氧化硅上的氮化硅以及覆蓋于所述硬質(zhì)掩膜層和所述氮化硅之上的氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述步驟三中的第一鈍化層為氮化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述步驟三中的第一鈍化層為氮氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述步驟四中的等離子體中含有氮、氫和氧三種元素。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述步驟二中形成的自然氧化層的厚度為10埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述步驟二中形成的自然氧化層的3Sigma值為0.35埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述步驟五中第二鈍化層的厚度為20埃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述步驟五中第二鈍化層的3Sigma值為0.39埃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述步驟一中的有源區(qū)和非有源區(qū)相互間隔形成于所述襯底上。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述有源區(qū)有兩個(gè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述非有源區(qū)有三個(gè)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠剝離工藝中改善器件均一性的方法，其特征在于：所述步驟三中形成所述第一鈍化層和所述步驟四中提供等離子體去除所述光刻膠的操作在一臺(tái)機(jī)器中分步完成。