[發明專利]半導體封裝方法及半導體封裝結構

在審

• 申請號: 201811605514.4
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN109545697A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 楊道國;王希有;蔡苗;張國旗
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/495
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343
• 代理人: 尚志峰;汪海屏

本發明提供了一種半導體封裝方法及半導體封裝結構，包括：將半導體芯片的漏極設置于引線框架的主體上；在引線框架的第一引腳上設置第一導電粘接層，在半導體芯片的源極上設置第二導電粘接層；將導電金屬片的一端通過第一導電粘接層與第一引腳相連接，將導電金屬片的另一端通過第二導電粘接層與半導體芯片的源極相連接；將半導體芯片的柵極與引線框架的第二引腳通過鍵合引線相連接；包封半導體芯片、導電金屬片、鍵合引線和部分引線框架。由于采用導電金屬片無需使用鋁線或鋁帶鍵合工藝實現，降低了半導體封裝工藝門檻與封裝設備成本，并且導電金屬片可根據半導體芯片封裝性能要求定制各種規格，有利于提高半導體封裝結構的電學性能與散熱性能。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，更具體而言，涉及一種半導體封裝方法及一種半導體封裝結構。

背景技術

近年來，功率半導體應用領域不斷擴展，其工作電流不斷提升，尤其是電力電子與汽車電子等高功率應用場景更是如此，這就要求功率半導體封裝微互連具備更強的電流承載能力。當前的做法是通過鍵合多根互連引線，尤其是大功率芯片封裝，多是鍵合多根鋁線或鋁帶。然而，鋁線與鋁帶的鍵合工藝對設備性能要求極高，目前國內尚無成熟鋁線或鋁帶鍵合設備供應，只能高價進口歐美國家的設備，極大的拉高了功率器件封裝成本。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。

本發明的一個方面提供了一種半導體封裝方法。

本發明的一個方面提供了一種半導體封裝結構。

鑒于上述，本發明提供的一種半導體封裝方法，半導體封裝方法包括：將半導體芯片的漏極設置于引線框架的主體上；在引線框架的第一引腳上設置第一導電粘接層，在半導體芯片的源極上設置第二導電粘接層；將導電金屬片的一端通過第一導電粘接層與第一引腳相連接，將導電金屬片的另一端通過第二導電粘接層與半導體芯片的源極相連接；將半導體芯片的柵極與引線框架的第二引腳通過鍵合引線相連接；包封半導體芯片、導電金屬片、鍵合引線和部分引線框架。

本發明提供的半導體封裝方法中，首先將半導體芯片的漏極安裝到引線框架的主體上，使得半導體芯片的漏極可與引線框架實現機械互連與電氣導通，其次在引線框架的第一引腳上設置第一導電粘接層，同時在半導體芯片的源極上設置第二導電粘接層，隨后將導電金屬片的一端通過第一導電粘接層與第一引腳相連接，再將導電金屬片的另一端通過第二導電粘接層與半導體芯片的源極相連接，通過設置導電金屬片實現引線框架的第一引腳與半導體芯片的源極相連接的效果，進而使得引線框架與半導體芯片的源極實現機械互連與電氣導通；隨后再包封部分引線框架、半導體芯片、導電金屬片和鍵合引線，完成半導體封裝結構的制備過程，由于采用導電金屬片無需使用鋁線或鋁帶鍵合工藝實現，降低了半導體封裝工藝門檻與封裝設備成本，并且導電金屬片可以根據半導體芯片封裝性能要求定制各種規格，有利于提高半導體封裝結構的電學性能與散熱性能。

優選地，在選擇導電金屬片時需要考慮半導體芯片的功率值，并且導電金屬片的阻值與半導體芯片的功率值正相關，以便于能按照半導體芯片的功率值選取合適的導電金屬片，以使得半導體封裝結構具備更強的電流承載能力。

另外，根據本發明上述技術方案提供的一種半導體封裝方法還具有如下附加技術特征：

在上述任一技術方案中，優選地，將半導體芯片的漏極設置于引線框架的主體上的步驟，包括：在引線框架的主體上設置第三導電粘接層；將半導體芯片的漏極貼合于第三導電粘接層上。

在該技術方案中，提供了一種將將半導體芯片的漏極設置于引線框架的主體上的方案，首先在引線框架的主體上設置第三導電粘接層，使得半導體芯片第三導電粘接層與引線框架的主體相連接，使得半導體芯片的漏極可與引線框架實現機械互連與電氣導通。

在上述任一技術方案中，優選地，在將半導體芯片的漏極設置于引線框架的主體上步驟前，還包括：根據半導體芯片的尺寸定制引線框架。