[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201811601193.0 | 申請日: | 2018-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN109742101B | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發明(設計)人: | 李文杰 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光二極管顯示器的制造方法,其特征在于:所述有機發光二極管顯示器的制造方法包括步驟:
一電極引線形成步驟,在一蓋板形成多個電極引線,而且每一電極引線具有多個電極接觸點;
一導電層形成步驟,在一基板上形成一陽極導電層及一陰極導電層;
一像素定義層形成步驟,在所述基板及所述陽極導電層上形成一像素定義層,其中所述像素定義層具有多個過孔,所述過孔曝露出部分所述陽極導電層;
一有機發光材料層形成步驟,將一有機發光材料層設置在所述過孔中;
一透明陰極層形成步驟,將一透明陰極層形成在所述陰極導電層、所述像素定義層及所述有機發光材料層上;
一接觸襯墊形成步驟,在所述透明陰極層上形成多個接觸襯墊;及
一蓋板組合步驟,將所述蓋板覆蓋在所述基板的上方,使得所述接觸襯墊分別與所述電極接觸點電性連接。
2.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器的制造方法,其特征在于:在所述電極引線形成步驟中,先在所述蓋板上形成圖案化的一遮光層,接著在所述遮光層上進行金屬油墨噴涂,以形成所述多個電極引線。
3.如權利要求2所述的有機發光二極管顯示器的制造方法,其特征在于:在所述電極引線形成步驟中,所述遮光層為一黑色有機樹脂,而且所述黑色有機樹脂是通過狹縫涂布、絲網打印、旋涂布、噴墨打印或流延而形成一有機薄膜,再經過曝光顯影而形成圖案化的所述遮光層。
4.如權利要求2所述的有機發光二極管顯示器的制造方法,其特征在于:在所述電極引線形成步驟中,所述遮光層為一黑色無機薄膜,而且所述黑色無機薄膜是通過噴濺、蒸鍍、化學氣相沉積或物理氣相沉積而形成。
5.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器的制造方法,其特征在于:在所述接觸襯墊形成步驟中,采用蒸鍍形成圖案化的所述多個接觸襯墊,所述接觸襯墊設置在所述像素定義層的上方。
6.如權利要求5所述的有機發光二極管顯示器的制造方法,其特征在于:在所述接觸襯墊形成步驟中,所述接觸襯墊具有一薄層及一隆起部,所述薄層形成在所述透明陰極層上,所述隆起部設置在所述薄層上,而且所述隆起部配置用以接觸所述電極接觸點。
7.一種有機發光二極管顯示器,其特征在于:所述有機發光二極管顯示器包括一基板、一陽極導電層、一陰極導電層、一像素定義層、一有機發光材料層、一透明陰極層、多個接觸襯墊、多個電極引線、一蓋板及一框膠;
所述框膠組合在所述基板及所述蓋板之間,以形成一腔室;
所述陽極導電層及所述陰極導電層形成在所述基板上,所述像素定義層形成在所述基板及所述陽極導電層上,其中所述像素定義層具有多個過孔,所述過孔曝露出部分所述陽極導電層;
所述有機發光材料層設置在所述過孔中,所述透明陰極層形成在所述陰極導電層、所述像素定義層及所述有機發光材料層上;
所述接觸襯墊形成在所述透明陰極層上,每一電極引線具有多個電極接觸點,而且所述電極接觸點分別與所述接觸襯墊電性連接。
8.如權利要求7所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于:所述蓋板定義一密集區及一稀疏區,所述密集區位于所述蓋板的一中心,所述稀疏區位于所述密集區的外圍,其中位于所述密集區的所述電極接觸點的一排列密度大于位于所述稀疏區的所述電極接觸點的一排列密度。
9.如權利要求7所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于:每一所述接觸襯墊具有一薄層及一隆起部,所述薄層形成在所述透明陰極層上,所述隆起部設置在所述薄層上,而且所述隆起部配置用以接觸所述電極接觸點。
10.如權利要求9所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于:所述接觸襯墊的薄層為一矩形,而且所述薄層的至少一邊長為10至30微米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





