[發(fā)明專利]一種環(huán)套式分立控制圖案化有機電致發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811600445.8
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN109686861B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 祝樹煒;魏斌;嚴(yán)利民;寶慶云;謝孟坤;管新波
• 申請（專利權(quán)）人: 上海晶合光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 代芳

1.一種環(huán)套式分立控制圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

(1)在ITO導(dǎo)電玻璃上依次制備第一金屬導(dǎo)電層和透明絕緣層，并對透明絕緣層進行圖案化刻蝕，得到圖案化刻蝕后的結(jié)構(gòu)；

(2)在所述圖案化刻蝕后的結(jié)構(gòu)上濺射ITO層，對所述ITO層進行模塊化刻蝕，得到內(nèi)外分立的ITO電極，所述內(nèi)外分立的ITO電極包括內(nèi)層ITO層和外層ITO層；

(3)在所述內(nèi)外分立的ITO電極表面制備第二金屬導(dǎo)電層，然后在所述第二金屬導(dǎo)電層表面旋涂光刻膠，對所述光刻膠進行圖案化光刻后固化，得到利用第一金屬導(dǎo)電層和第二金屬導(dǎo)電層作為電極引線的可分立控制的圖案化電極；

(4)在所述可分立控制的圖案化電極上蒸鍍有機層，所述有機層自下而上依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；

(5)在所述有機層表面蒸鍍金屬電極，得到環(huán)套式分立控制圖案化有機電致發(fā)光器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中第一金屬導(dǎo)電層的材質(zhì)為鉬鋁鉬、銀和銅中的一種或幾種，所述第一金屬導(dǎo)電層的厚度為130～170nm；所述第一金屬導(dǎo)電層通過磁控濺射法制備得到，所述磁控濺射的功率為150W，退火溫度為250℃，濺射時間為30min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中透明絕緣層的材質(zhì)為SiO₂和/或Si₃N₄，所述透明絕緣層的厚度為90～110nm；所述透明絕緣層通過原子層沉積法制備得到，所述原子層沉積的溫度為140～160℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中對透明絕緣層進行圖案化刻蝕的方法包括以下步驟：

(1)在透明絕緣層上旋涂光刻膠后進行前烘，形成光刻膠層；

(2)在所述光刻膠層上放置圖案電極菲林板后進行曝光；

(3)將曝光后的光刻膠層浸泡于顯影液中進行顯影，然后依次進行洗滌和后烘，得到圖案化的光刻膠層；

(4)對暴露區(qū)域的透明絕緣層進行刻蝕后清洗光刻膠，得到圖案化透明絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中濺射ITO層的方式為磁控濺射，所述磁控濺射的功率為150W，退火溫度為250℃，濺射時間為30min；所述ITO層的厚度為140～160nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中對ITO層進行模塊化刻蝕的方法包括以下步驟：

(1)在ITO層上旋涂光刻膠后進行前烘，形成光刻膠層；

(2)在所述光刻膠層上放上圖案電極菲林板后進行曝光；

(3)將曝光后的光刻膠浸泡于顯影液中進行顯影，然后依次進行洗滌和后烘，得到圖案化的光刻膠層；

(4)對暴露區(qū)域的ITO層進行刻蝕后清洗光刻膠，得到模塊化刻蝕的ITO層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，當(dāng)可分立控制的圖案化電極為多層環(huán)套式圖案化電極時，在所述步驟(3)固化后所得光刻膠層表面重復(fù)進行步驟(2)～(3)的操作，直至得到所需層數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中有機層的總厚度為90～110nm；所述有機層的蒸鍍方式為真空蒸鍍，所述真空蒸鍍的真空度小于10^-4mbar。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)中金屬電極的材質(zhì)為鋁、銀和金中的一種或幾種，所述金屬電極的厚度為180～220nm；所述金屬電極的蒸鍍方式為真空蒸鍍，所述真空蒸鍍的溫度為金屬的升華溫度，所述真空蒸鍍的真空度小于10^-4mbar。

10.權(quán)利要求1～9任意一項所述制備方法制備的環(huán)套式分立控制圖案化有機電致發(fā)光器件，自下而上依次包括ITO導(dǎo)電玻璃、環(huán)套式分立控制圖案化電極、有機層和金屬電極。