[發(fā)明專利]濺射系統(tǒng)和沉積方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811593175.2
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN109468600B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇同上;王東方;程磊磊;劉軍;劉寧;王慶賀;閆梁臣
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/56
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;陳源

1.一種濺射系統(tǒng)，其特征在于，所述濺射系統(tǒng)包括至少兩個濺射腔，每個所述濺射腔內(nèi)均設(shè)置有依次排列的多個靶材安裝座，所述靶材安裝座用于安裝靶材，所述濺射系統(tǒng)用于在執(zhí)行濺射工藝時分別在不同的濺射腔內(nèi)設(shè)置預(yù)定數(shù)量的靶材，在任意一個濺射腔內(nèi)，預(yù)定數(shù)量的靶材分別設(shè)置在預(yù)定數(shù)量的靶材安裝座上，并且在同一個濺射腔內(nèi)，相鄰兩個靶材之間的間隔足以容納至少一個所述靶材，以使得不同的濺射腔內(nèi)的靶材在同一個待濺射的基板的沉積面上的不同位置處沉積材料，并且，所述待濺射的基板依次在各個濺射腔內(nèi)濺射完成后能夠在所述沉積面上獲得連續(xù)的、各處厚度差不超過預(yù)定值的目標膜層；

在任意一個所述濺射腔內(nèi)，相鄰兩個所述靶材安裝座之間的間隔中設(shè)置有陽極棒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射系統(tǒng)，其特征在于，在任意一個所述濺射腔內(nèi)，相鄰兩個靶材安裝座之間形成有間隔，該間隔足以設(shè)置至少一個靶材安裝座。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射系統(tǒng)，其特征在于，每個所述濺射腔中均設(shè)置有能夠移動的基板安裝座，所述基板安裝座用于承載待濺射的基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的濺射系統(tǒng)，其特征在于，所述濺射系統(tǒng)包括兩個所述濺射腔。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濺射系統(tǒng)，其特征在于，同一個所述濺射腔內(nèi)，相鄰兩個靶材安裝座之間的間隔能夠設(shè)置一個靶材安裝座。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的濺射系統(tǒng)，其特征在于，所述濺射系統(tǒng)包括依次排列的搖擺機構(gòu)、預(yù)真空腔、高真空腔以及多個所述濺射腔，其中，

所述搖擺機構(gòu)用于將水平狀態(tài)的基板轉(zhuǎn)動為豎直狀態(tài)的基板并送入所述預(yù)真空腔中；

所述預(yù)真空腔用于對所述基板進行預(yù)抽真空處理；

所述高真空腔用于對經(jīng)過預(yù)抽真空處理的基板進行進一步真空處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的濺射系統(tǒng)，其特征在于，所述靶材安裝座用于安裝柱狀的靶材，以在所述沉積面上形成與所述柱狀的靶材相對應(yīng)的矩形的濺射區(qū)。

8.一種利用權(quán)利要求1至7中任意一項所述的濺射系統(tǒng)在基板上沉積膜層的沉積方法，其特征在于，所述沉積方法包括：

在各個濺射腔內(nèi)預(yù)定數(shù)量個靶材安裝座上分別安裝材料相同的靶材，且在同一個濺射腔內(nèi)，相鄰兩個靶材之間的間隔足以容納至少一個所述靶材；

分別將所述基板依次設(shè)置在各個濺射腔內(nèi)進行濺射沉積工藝，其中，從第二個濺射腔開始，基板上的中間膜層的凹陷區(qū)與該濺射腔中的靶材相對，以在所述基板的濺射面上形成連續(xù)的、各處厚度差不超過預(yù)定值的目標膜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的沉積方法，其特征在于，在每個濺射腔內(nèi)進行濺射沉積工藝的時間相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的沉積方法，其特征在于，每個所述濺射腔中均設(shè)置有能夠移動的基板安裝座，所述基板安裝座用于承載待濺射的基板，

從第二個濺射腔開始，調(diào)整該濺射腔中的基板安裝座的位置，以使得基板上的中間膜層的凹陷區(qū)與該濺射腔中的靶材相對。

11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的沉積方法，其特征在于，所述基板豎直地設(shè)置在所述濺射腔內(nèi)，所述沉積方法還在將基板設(shè)置在第一個濺射腔中之前進行的以下步驟：

將基板從水平狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為豎直狀態(tài)；

將豎直狀態(tài)的基板送入預(yù)真空腔內(nèi)，并對所述基板進行預(yù)抽真空處理；

將經(jīng)過預(yù)抽真空處理的基板傳送入高真空腔內(nèi)，以進行進一步真空處理。

12.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的沉積方法，其特征在于，所述基板的沉積面為矩形面，所述靶材安裝座用于安裝柱狀的靶材，在各個濺射腔內(nèi)，在所述沉積面上形成與所述靶材對應(yīng)的矩形的濺射區(qū)，將所述基板依次設(shè)置在各個濺射腔內(nèi)進行濺射沉積工藝后，多個矩形的濺射區(qū)布滿所述沉積面。