[發明專利]一種金剛線切割單晶硅的制絨方法在審
| 申請號： | 201811591943.0 | 申請日： | 2018-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN109487342A | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發明（設計）人： | 趙迎財;金井升;張昕宇 | 申請（專利權）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶硅 線切割 制絨 清洗 酸制絨 混合溶液體系 太陽能電池 表面結構 低反射率 工藝步驟 激光刻蝕 能量消耗 溶液體系 轉換效率 電性能 硅片 添加劑 污染 配合 | ||
1.一種金剛線切割單晶硅的制絨方法，包括以下步驟：
a)將金剛線切割單晶硅采用H2O2-HCl混合溶液體系進行清洗，得到清洗后的金剛線切割單晶硅；
b)將步驟a)得到清洗后的金剛線切割單晶硅依次進行激光刻蝕和酸制絨，得到制絨后的金剛線切割單晶硅。
2.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，步驟a)中所述H2O2-HCl混合溶液體系中H2O2的質量濃度為5％～20％，HCl的質量濃度為5％～20％。
3.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，步驟a)中所述清洗的溫度為20℃～30℃，時間為60s～300s。
4.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，步驟b)中所述激光刻蝕的功率為3W～10W，刻蝕點數為1E4～3E4。
5.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，步驟b)中所述酸制絨的過程具體為：
將激光刻蝕后的金剛線切割單晶硅采用HF-HNO3混合溶液體系進行制絨，得到酸制絨后的金剛線切割單晶硅。
6.根據權利要求5所述的制絨方法，其特征在于，所述HF-HNO3混合溶液體系中HF的質量濃度為5％～15％，HNO3的質量濃度為5％～15％。
7.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于，步驟b)中所述酸制絨的溫度為20℃～30℃，時間為100s～240s。
8.根據權利要求1～7任一項所述的制絨方法，其特征在于，所述步驟b)還包括：
將酸制絨得到的金剛線切割單晶硅進行表面處理，得到制絨后的金剛線切割單晶硅。
9.根據權利要求8所述的制絨方法，其特征在于，所述表面處理的過程具體為：
將酸制絨后的金剛線切割單晶硅采用RCA標準清洗法進行清洗后，再進行慢提拉，烘干后得到制絨后的金剛線切割單晶硅。
10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述慢提拉的溫度為50℃～70℃，提拉速度為2mm/s～20mm/s。
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