[發(fā)明專利]一種金屬透明電極及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811590465.1
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN109686699B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張霞
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明提供了一種金屬透明電極及其制備方法，通過在一基板上形成共聚物層，然后對所述共聚物層進(jìn)行第一成孔化處理形成第一多孔層，對所述第一多孔層進(jìn)行第二成孔化處理，形成第二多孔層，然后在所述基板和所述第二多孔層表面制備金屬層，最后，對所述第二多孔層進(jìn)行灰化處理，以去除第二多孔層及附著于第二多孔層上的金屬層，即得到圖案化的金屬透明電極；所述金屬透明電極具有附著于所述基板上的金屬斑點和附著于所述基板上并且連接所述金屬斑點的金屬線條，所述金屬斑點和所述金屬線條交織成金屬網(wǎng)絡(luò)。該金屬透明電極的生產(chǎn)工藝簡單、制造成本低、產(chǎn)品質(zhì)量高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及柔性顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬透明電極及其制備方法。

背景技術(shù)

在TFT-LCD中，柔性顯示因便攜、可彎折等獨特的優(yōu)點，而受到廣大消費者的青睞。目前，作為液晶顯示器重要組成的透明電極，主要采用透明氧化物材料，如ITO、IZO等。然而，最常用的ITO價格昂貴，資源稀缺；而且需要高溫后處理工藝優(yōu)化ITO晶形，因而不適于不耐高溫的應(yīng)用，例如柔性基板高溫翹曲、現(xiàn)有高階產(chǎn)品中PFA材料高溫黃變影響色度等中的應(yīng)用。

為克服上述問題，新的透明導(dǎo)電材料逐漸被開發(fā)，例如，導(dǎo)電高分子材料、金屬網(wǎng)格、碳納米管和石墨烯及上述各種多元復(fù)合材料等。

其中，金屬網(wǎng)格，例如Ag納米線網(wǎng)格，因網(wǎng)格線之間完全透明，導(dǎo)電性和穿透率可達(dá)到較優(yōu)水準(zhǔn)，在眾多取代材料中凸顯出應(yīng)用優(yōu)勢，但因納米線是周期不連續(xù)的，為完全接觸而實現(xiàn)低電阻就需要使用較厚的網(wǎng)格線，這就會導(dǎo)致粗糙度增加；如果使用隨機(jī)排列的納米線，就可在較低膜厚下實現(xiàn)較低的電阻和較佳的穿透率，但這就可能會帶來離子電遷移而造成的結(jié)構(gòu)損傷。納米線的表面粗糙度、結(jié)合納米線的長度和間距以及這種隨機(jī)排列的結(jié)構(gòu)，在隨后的熱處理過程，會使整個膜層的霧度增加（即不均勻散射），不利于面板低反射率的品質(zhì)需求。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種金屬透明電極及其制備方法，目的在于降低制作成本，及解決現(xiàn)有銀納米線電極霧度大，不利于面板低反射率品質(zhì)要求的問題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種金屬透明電極的制備方法，所述方法包括以下步驟：

步驟S1、提供一基板，在所述基板上形成共聚物層；

步驟S2、對所述共聚物層進(jìn)行第一成孔化處理，使所述共聚物層中形成多個孔，所述多個孔形成第一多孔層；

步驟S3、對所述第一多孔層進(jìn)行第二成孔化處理，形成第二多孔層，所述第二多孔層包括孔徑網(wǎng)絡(luò)，所述孔徑網(wǎng)絡(luò)由多個孔和連接各個孔的靜脈網(wǎng)絡(luò)組成，所述孔徑網(wǎng)絡(luò)從所述第二多孔層表面延伸至所述基板；

步驟S4、在所述第二多孔層背離所述基板的表面制備金屬層，使所述金屬層覆蓋所述第二多孔層上表面和與所述孔徑網(wǎng)絡(luò)相對應(yīng)的所述基板表面；

步驟S5、對所述第二多孔層進(jìn)行灰化處理，以去除第二多孔層及附著于第二多孔層上的金屬層，即得到圖案化的金屬透明電極。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述共聚物層是通過旋轉(zhuǎn)涂布和/或狹縫涂布共聚物制得，所述金屬層通過物理氣相沉積的方法制得。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述第一成孔化處理包括對所述共聚物層依次進(jìn)行紫外線照射處理和水洗處理；所述第二成孔化處理包括使用氧氣等離子體發(fā)射儀處理所述第一多孔層，同時使用掩膜罩對所述第一多孔層進(jìn)行遮擋，使所述第一多孔層中的孔之間的區(qū)域局部灰化。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述步驟S5中對所述第二多孔層進(jìn)行灰化處理包括使用氧氣等離子體發(fā)射儀發(fā)射氧氣等離子體處理所述第二多孔層，使所述第二多孔層灰化。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述第一多孔層中孔的直徑為15~350nm，所述第二多孔層中孔的直徑為0.1~100μm。