[發明專利]一種金屬透明電極及其制備方法有效
| 申請號: | 201811590465.1 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN109686699B | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 張霞 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 透明 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種金屬透明電極的制備方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
步驟S1、提供一基板,在所述基板上形成共聚物層;
步驟S2、對所述共聚物層進行第一成孔化處理,使所述共聚物層中形成多個孔,所述多個孔形成第一多孔層,其中,所述第一成孔化處理包括對所述共聚物層依次進行紫外線照射處理和水洗處理;
步驟S3、對所述第一多孔層進行第二成孔化處理,形成第二多孔層,所述第二多孔層包括孔徑網絡,所述孔徑網絡由多個孔和連接各個孔的靜脈網絡組成,所述孔徑網絡從所述第二多孔層表面延伸至所述基板,其中,所述第二成孔化處理包括使用氧氣等離子體發射儀處理所述第一多孔層,同時使用掩膜罩對所述第一多孔層進行遮擋,使所述第一多孔層中的孔之間的區域局部灰化;
步驟S4、在所述第二多孔層背離所述基板的表面制備金屬層,使所述金屬層覆蓋所述第二多孔層上表面和與所述孔徑網絡相對應的所述基板表面;
步驟S5、對所述第二多孔層進行灰化處理,以去除第二多孔層及附著于第二多孔層上的金屬層,即得到圖案化的金屬透明電極,其中,對所述第二多孔層進行灰化處理包括使用氧氣等離子體發射儀發射氧氣等離子體處理所述第二多孔層,使所述第二多孔層灰化。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述共聚物層是通過旋轉涂布和/或狹縫涂布共聚物制得,所述金屬層通過物理氣相沉積的方法制得。
3.根據權利要求1至2中任一權利要求所述的制備方法,其特征在于,所述第一多孔層中孔的直徑為15~350nm,所述第二多孔層中孔的直徑為0.1~100μm。
4.根據權利要求1至2中任一權利要求所述的制備方法,其特征在于,所述基板的材質選自聚對苯二甲酸乙二醇酯PET、聚酰亞胺PI、聚乙烯醇PVA、聚甲基硅氧烷PDMS、聚氨酯丙烯酸酯PUA、以及水凝膠中的一種,所述金屬層的材質選自銀、銅、鋁、鎳、以及鉻中的一種或多種。
5.一種金屬透明電極,其特征在于,所述金屬透明電極如權利要求1至4任一項所述的金屬透明電極的制備方法制備而成,所述金屬透明電極包括:
基板;
設置在所述基板上的金屬斑點;
設置在所述基板上并連接所述金屬斑點的金屬線條;
所述金屬斑點和所述金屬線條形成有陣列分布的金屬網絡;
其中,所述基板的材質選自聚對苯二甲酸乙二醇酯PET、聚酰亞胺PI、聚乙烯醇PVA、聚甲基硅氧烷PDMS、聚氨酯丙烯酸酯PUA、以及水凝膠中的一種,所述金屬斑點和金屬線條的材質選自銀、銅、鋁、鎳、以及鉻中的一種或多種。
6.根據權利要求5所述的金屬透明電極,其特征在于,所述金屬斑點為圓形或不規則點狀,所述金屬線條為直線或不規則曲線。
7.根據權利要求5所述的金屬透明電極,其特征在于,每個所述金屬斑點至少與一條所述金屬線條相連接,所述金屬斑點和所述金屬線條交織成陣列分布的金屬網絡。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





