[發明專利]一種半導體消除內應力的方法

在審

• 申請號: 201811590104.7
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN111370318A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 郎鑫濤
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明提供了一種半導體消除內應力的方法，所述方法包括以下步驟：(1)將半導體元件的一面固定在陶瓷板的內表面上，并在半導體元件的另一面覆蓋保護膜；(2)對陶瓷板的外表面進行第一次熱處理，使陶瓷板的外表面經過10～30分鐘升溫至130～160℃；然后，對陶瓷板的外表面進行第二次熱處理，使陶瓷板的外表面經過5～10分鐘升溫至190～210℃；(3)對步驟(2)中的陶瓷板外表面進行降溫，降溫速度為3～7℃/min，至陶瓷板外表面的溫度降至常溫；(4)去除半導體元件表面覆蓋的保護膜。本發明的方法在陶瓷板的背面進行熱處理，正面的半導體的內應力得到了降低或者消除的效果，本發明的方法可以和制備半導體的工藝聯用，在短時間內大批處理半導體元件，提高了生產效率。

技術領域

本發明涉及半導體制作領域，具體涉及一種半導體消除內應力的方法。

背景技術

在半導體領域中，隨著科技的日新月異，半導體元器件的尺寸由大到小，從而對于其加工的精度要求也越來越高。在加工過程中，元器件經過切割、研磨的工藝，其中會產生各種形變。這種形變嚴重危害了元器件的精密程度。特別在膠水粘接到陶瓷板這個工序中，由于膠水的強度，造成了元器件的形變，從而使后面的曝光顯影的圖像位置發生偏移，從而造成了元器件形狀的改變。通常，解決此類的辦法是研磨。但在后續工序中，在粘接的狀態下研磨已經無法進行，會給下一步的加工造成不便。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術存在的不足之處而提供一種半導體消除內應力的方法。

為實現上述目的，本發明采取的技術方案為：一種半導體消除內應力的方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將半導體元件的一面固定在陶瓷板的內表面上，并在半導體元件的另一面覆蓋保護膜；

(2)對陶瓷板的外表面進行第一次熱處理，使陶瓷板的外表面經過10～30 分鐘升溫至130～160℃；然后，對陶瓷板的外表面進行第二次熱處理，使陶瓷板的外表面經過5～10分鐘升溫至190～210℃；

(3)對步驟(2)中的陶瓷板外表面進行降溫，降溫速度為3～7℃/min，至陶瓷板外表面的溫度降至常溫；

(4)去除半導體元件表面覆蓋的保護膜。

本發明的方法在陶瓷板的背面進行熱處理，正面的半導體的內應力得到了降低或者消除的效果，本發明通過對熱處理溫度的控制，使得半導體的內應力的釋放更均勻。

優選地，所述步驟(2)中，第一次熱處理和第二次熱處理均采用鹵素燈照射陶瓷板的外表面。

優選地，所述步驟(2)中，第一次熱處理使陶瓷板的外表面經過10～30分鐘升溫至150℃；第二次熱處理使陶瓷板的外表面經過5～10分鐘升溫至200℃。

優選地，所述步驟(2)中，第一次熱處理使陶瓷板的外表面經過15～20分鐘升溫至150℃；第二次熱處理使陶瓷板的外表面經過6～8分鐘升溫至200℃。

優選地，所述步驟(3)中的降溫速度為5℃/min。

本發明對熱處理的溫度變化的條件進行了選擇，使得消除內應力的效果更好，且工藝流程時間更短，兼顧了時間效率和消除內應力的效果。

優選地，所述步驟(1)中半導體元件的一面通過粘接固定在陶瓷板上。

本發明的有益效果在于：本發明提供了一種半導體消除內應力的方法，本發明的方法在陶瓷板的背面進行熱處理，正面的半導體的內應力得到了降低或者消除的效果，本發明的方法可以和制備半導體的工藝聯用，可以在很短的時間大批處理半導體元件，提高了生產效率。

附圖說明

圖1為本發明半導體消除內應力的工藝流程示意圖。

具體實施方式