[發(fā)明專(zhuān)利]一種大功率3dB功率合成分配器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811583005.6
• 申請(qǐng)日: 2018-12-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109687084A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡天濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 貴州航天計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01P5/16
• 分類(lèi)號(hào): H01P5/16
• 代理公司: 中國(guó)航天科工集團(tuán)公司專(zhuān)利中心 11024
• 代理人: 葛鵬

本發(fā)明公開(kāi)了一種大功率3dB功率合成分配器，通過(guò)采用寬邊耦合帶狀線的方式實(shí)現(xiàn)，電路結(jié)構(gòu)由三層基板層疊而成。所述功率合成分配器包括底板(1)，下層基板(2)，中層基板(3)、上層基板(4)、頂板(5)、匹配負(fù)載(6)，其中，所述底板(1)與頂板(5)用于將上、中、下三層基板進(jìn)行緊固，并作為良好信號(hào)接地平面；所述下層基板(2)，中層基板(3)、上層基板(4)層疊一起構(gòu)成寬邊耦合帶狀線結(jié)構(gòu)。該3dB功分器即滿足了微波大功率的功率合成與分配，又保證功分器具有良好的隔離度，且電路體積較小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于微波功率合成技術(shù)領(lǐng)域，一種大功率3dB功率合成分配器。

背景技術(shù)

微波功率合成與分配電路廣泛應(yīng)用在微波電路設(shè)計(jì)中，是一種基本的微波無(wú)源電路。3dB功分器一般由威爾金森功分器實(shí)現(xiàn)，在大功率微波電路中輸出端口的隔離電阻為大功率電阻，而大功率電阻的寄生參數(shù)較大，導(dǎo)致在微波頻率使得功分器的輸出端口隔離度下降，且威爾金森功分器體積較大，不易實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)。

本發(fā)明提供了一種大功率3dB功率合成分配器設(shè)計(jì)方法，通過(guò)采用寬邊耦合帶狀線的方式實(shí)現(xiàn)，即滿足了微波大功率的功率合成與分配，又保證功分器具有良好的隔離度，且電路體積較小。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明通過(guò)采用帶狀線寬邊耦合的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)3dB緊耦合，利用功率耦合的方式實(shí)現(xiàn)微波信號(hào)的功率分配，兩個(gè)功率分配輸出端口的相位相差90度。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采用的技術(shù)解決方案是：一種大功率3dB功率合成分配器，其特征在于，所述功率合成分配器包括底板，下層基板，中層基板、上層基板、頂板、匹配負(fù)載，其中，所述底板與頂板用于將上、中、下三層基板進(jìn)行緊固，并作為良好信號(hào)接地平面；所述下層基板，中層基板、上層基板層疊一起構(gòu)成寬邊耦合帶狀線結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了以下有益的技術(shù)效果：

本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，工藝實(shí)現(xiàn)性強(qiáng)，能極大的提高現(xiàn)有大功率3dB功分器的隔離度性能指標(biāo)；本發(fā)明相比于威爾金森功分器電路尺寸更小，易于實(shí)現(xiàn)微波電路小型化設(shè)計(jì)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)圖；

圖4為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)圖；

圖5為本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)具體實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述，但這些實(shí)施實(shí)例僅在于舉例說(shuō)明，并不對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。

本發(fā)明的一種大功率3dB功率合成分配器，包括底板1，下層基板2，中層基板3、上層基板4、頂板5、匹配負(fù)載6。

其中，底板1與頂板5用于將三層基板進(jìn)行緊固，并作為良好信號(hào)接地平面。

其中，下層基板2、中層基板3、上層基板4層疊一起構(gòu)成寬邊耦合帶狀線結(jié)構(gòu)。

其中，下層基板2底層全部覆銅鍍金形成良好接地面，頂層上設(shè)計(jì)微帶輸出端口，下層基板2厚度為h1；

其中，中層基板3在底層與頂層設(shè)計(jì)L型寬邊耦合帶狀線結(jié)構(gòu)，耦合線寬度w、耦合寬度s，中層基板3厚度為h2。

其中，上層基板4頂層全部覆銅鍍金形成良好接地面，底層無(wú)電路走線設(shè)計(jì)，上層基板4厚度為h1；

其中，基板厚度h1、h2可根據(jù)實(shí)際使用需求及加工要求進(jìn)行選擇，耦合線寬度w、耦合寬度s則根據(jù)h1、h2的尺寸進(jìn)行仿真計(jì)算。

其中，匹配負(fù)載6用于端口阻抗匹配，并在功率分配端口阻抗失配時(shí)作為功率吸收電阻。