[發(fā)明專利]一種多芯片扇出型結(jié)構(gòu)的封裝方法及其結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811580860.1
• 申請(qǐng)日: 2018-12-24
• 公開（公告）號(hào): CN109686697A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張愛兵;李楊;高娜燕;吉勇;明雪飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/538;H01L25/04
• 代理公司: 無錫派爾特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

1.一種多芯片扇出型結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、提供支撐架（303），所述支撐架（303）的中間區(qū)域?yàn)殓U空，邊緣區(qū)域存在通孔；

步驟二、將支撐架（303）與A芯片（302A）分次裝片至帶有熱剝離膜（401）的載具（402）上；

步驟三、用包覆膜（301）將支撐架（303）與A芯片（302A）包覆，并去除熱剝離膜（401）和載具（402），形成新的晶圓載體；

步驟四、在新的晶圓載體的底部表面形成鈍化層（306）和布線層（307）；

步驟五、將帶有金屬凸塊（308）的B芯片（302B）倒裝到所述布線層（307）上；

步驟六、通過包覆料（309）對(duì)B芯片（203B）、金屬凸塊（308）和布線層（307）進(jìn)行包覆保護(hù)；

步驟七、在新的晶圓載體頂部表面依次形成鈍化層（310）、再布線層（311）、再鈍化層（312）；

步驟八、在再鈍化層（312）的開口上方生長(zhǎng)焊球凸點(diǎn)（313），生成最終的封裝體。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在新的晶圓載體的底部表面形成鈍化層（306）和布線層（307）之前，所述封裝方法還包括：

去除新的晶圓載體底部的包覆膜（301），直至露出支撐架（303）。

3.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述支撐架（303）的厚度大于所述A芯片（302A）的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述支撐架（303）內(nèi)邊緣距離相鄰A芯片（302A）邊緣距離大于50um。

5.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述A芯片（302A）的厚度為50~200um。

6.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述支撐架（303）中通孔的側(cè)壁由絕緣材料（304）覆蓋，所述絕緣材料（304）為SMF或SiO₂；通孔的中間區(qū)域填充有金屬材料（305）。

7.如權(quán)利要求6所述的封裝方法，其特征在于，所述金屬材料（305）的直徑最小為15um。

8.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述金屬凸塊（308）的材料為Sn，或CuSn，或CuNiSn，或CuNiSnAg。

9.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述包覆膜（301）的材料為模塑料；所述包覆料（309）的材料為模塑料，或模塑料與填充料的結(jié)合體。

10.一種根據(jù)權(quán)利要求1-9任一所述的封裝方法制備出的多芯片扇出型結(jié)構(gòu)。