[發明專利]一種Ku頻段上變頻器腔體濾波器的制作方法

在審

• 申請號: 201811580393.2
• 申請日: 2018-12-24
• 公開（公告）號: CN109660222A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 蔣尚歡;朱良凡;黃薛龍;曹亞昆;俞暢;趙仕鑫;奚鳳鳴
• 申請（專利權）人: 安徽華東光電技術研究所有限公司
• 主分類號: H03H3/00
• 分類號: H03H3/00;H05K3/34;H01P11/00
• 代理公司: 蕪湖金鑰匙專利代理事務所(普通合伙) 34151
• 代理人: 蔡慶新

1.一種Ku頻段上變頻器腔體濾波器的制作方法，包括電路板、芯片載體、絕緣子、芯片放大器、芯片電容和MEMS濾波器，其特征在于，所述變頻器的加工步驟如下：

S1：將電路板、芯片載體，絕緣子燒結到變頻器腔體上；

S2：將裸芯片放大器、芯片電容共晶到芯片載體上；

S3：將相關器件燒結到到電路板上；

S4：將MEMS濾波器粘接到芯片載體上；

S5：金絲鍵合；

S6：對裝配完成的腔體貼片組件進行封蓋、測試。

2.根據權利要求1所述的一種Ku頻段上變頻器腔體濾波器的制作方法，其特征在于，所述變頻器加工步驟S1的具體操作過程如下：

S11：用50℃的酒精清洗所述變頻器腔體，再將清洗完成后的變頻器腔體放置在腔體周轉盒內，一段時間后，待其自然冷卻并且干燥；

S12：用點膠機將電路板的底面和芯片載體的焊盤處均勻的涂上一層焊錫膏，在濾波器腔體內，在電路板與芯片載體對應的位置上均勻涂上適量的焊錫膏，然后再將電路板與芯片載體放置在濾波器腔體內對應的位置上；

S13：再用點膠機將絕緣子的外側與絕緣子在腔體的過孔位置涂上一圈焊錫膏，最后將絕緣子安裝在腔體的過孔位置，將點膠機設置為連續點膠模式；

S14：打開加熱臺，在加熱臺的溫度調節至190℃-200℃之間，將準備好的燒結組件放在加熱臺上燒結，燒結完成后再將燒結組件移到散熱平臺上，等待其自然冷卻，最后再用酒精棉清理燒結組件。

3.根據權利要求2所述的一種Ku頻段上變頻器腔體濾波器的制作方法，其特征在于，在上述步驟S12和步驟S13中，所述芯片載體的型號為（Mo80Cu20），所述絕緣子的型號為（142-1000-002），所述焊錫膏的型號為SN63CR32，且所述焊錫膏的的溫度為183℃。

4.根據權利要求1所述的一種Ku頻段上變頻器腔體濾波器的制作方法，其特征在于，所述變頻器加工步驟S2的具體操作過程如下：

S21：選取合適的芯片載體，清洗后再晾干，再利用50℃的酒精對其清洗，清洗完成后放在芯片載體周轉盒內，一段時間后等其自然冷卻并干燥；

S22：打開加熱臺，將溫度調節到300℃，然后將共晶臺放到熱臺上加熱，一段時間后再將芯片載體放到共晶臺上加熱，粘取少量熔點為280℃的金焊錫膏放在芯片載體上，待一段時間錫膏熔化后，將裸芯片放大器、芯片電容放到芯片載體上；

S23：共晶完成后，將裸芯片放大器、芯片電容與芯片載體結合的共晶組件放入對應的周轉盒內，依次將共晶臺也取下，關閉加熱臺。

5.根據權利要求1所述的一種Ku頻段上變頻器腔體濾波器的制作方法，其特征在于，所述變頻器加工步驟S3的具體操作過程如下：

S31：將腔體濾波器燒結組件用50℃的酒精清洗，清洗完成后放在燒結組件周轉盒內，一段時間后等其自然冷卻并干燥；

S32：用點膠機在電路板焊盤處涂上焊錫膏，再將電容、電阻、混頻器依次放在涂有焊錫膏的焊盤處，將點膠機設置為連續點膠模式；

S33：用點膠機將裸芯片放大器共晶組件下方的焊盤處均勻的涂上一層焊錫膏，同時相應的腔體位置也涂上均勻適量的焊錫膏，再將裸芯片放大器共晶組件放在腔體的相應位置，將點膠機設置為連續點膠模式；

S34：打開加熱臺，將溫度調節到160℃，將燒結組件放在熱臺上加熱燒結，一段時間后將完成的整個貼片組件取下至散熱平臺，等待其冷卻；

S35：在濾波器腔體燒結組件的芯片載體上均勻的涂上導電膠，將MEMS濾波器取出，并且在其正反面上涂上適量的導電膠，再將MEMS濾波器粘接在芯片載體對應的位置上；

S36：在清洗機的清洗槽內放置適量的清洗劑，再將清洗機的溫度打到50℃，再將上述腔體貼片組件放到汽相清洗機中，使貼片組件在清洗槽內熱煮泡30分鐘后，將貼片組件取出至貼片組件周轉盒內，一段時間后等其自然冷卻并干燥。

6.根據權利要求5所述的一種Ku頻段上變頻器腔體濾波器的制作方法，其特征在于，在上述步驟S22和步驟S23中，所述焊錫膏的型號為Sn43Pb43Bi14，且溫度在140℃。