[發明專利]蝕刻方法

有效

• 申請號: 201811579793.1
• 申請日: 2018-12-24
• 公開（公告）號: CN110021524B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 昆泰光;淺山佳大;熱海秀
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/308;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片的膜的蝕刻方法，該基片在所述膜上形成有具有圖案的掩模，該蝕刻方法是在所述基片配置于等離子體處理裝置的腔室內的狀態下執行的，

所述蝕刻方法的特征在于，包括：

為了蝕刻所述膜，在所述腔室內生成第一處理氣體的等離子體的步驟，其中，所述第一處理氣體包含含第一碳氟化合物的第一氣體、含第二碳氟化合物的第二氣體、含氧氣體和含氟氣體；和

為了蝕刻所述膜，在所述腔室內生成第二處理氣體的等離子體的步驟，其中，所述第二處理氣體包含所述第一氣體、所述第二氣體、所述含氧氣體和所述含氟氣體，

交替地執行生成第一處理氣體的等離子體的所述步驟和生成第二處理氣體的等離子體的所述步驟，

所述第二碳氟化合物的分子中的氟原子數相對于碳原子數的比，大于所述第一碳氟化合物的分子中的氟原子數相對于碳原子數的比，

所述第一處理氣體中的所述第一氣體的流量，比所述第二處理氣體中的所述第一氣體的流量大，

所述第二處理氣體中的所述第二氣體的流量，比所述第一處理氣體中的所述第二氣體的流量大，

所述第二處理氣體中的所述含氧氣體的流量，比所述第一處理氣體中的所述含氧氣體的流量大，

所述第二處理氣體中的所述含氟氣體的流量，比所述第一處理氣體中的所述含氟氣體的流量小。

2.如權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

在生成第一處理氣體的等離子體的所述步驟和生成的第二處理氣體的等離子體的所述步驟這兩個步驟的整個期間，連續地供給用于生成所述第一處理氣體的等離子體和所述第二處理氣體的等離子體的高頻。

3.如權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述第一處理氣體中的所述第一氣體的流量，比所述第一處理氣體中的所述第二氣體的流量大，

所述第二處理氣體中的所述第二氣體的流量，比所述第二處理氣體中的所述第一氣體的流量大。

4.如權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述第一碳氟化合物是全氟烴或氫氟烴，

所述第二碳氟化合物是全氟烴或氫氟烴。

5.如權利要求4所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述第一碳氟化合物是C₄F₆。

6.如權利要求4所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述第二碳氟化合物是C₄F₈。

7.如權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述含氧氣體是氧氣。

8.如權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述含氟氣體是NF₃氣體。