[發明專利]VDMOS垂直柵場效應晶體管性能檢測裝置有效
| 申請號： | 201811569791.4 | 申請日： | 2018-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN109633400B | 公開（公告）日： | 2020-10-09 |
| 發明（設計）人： | 梅華斌;俞林 | 申請（專利權）人： | 無錫職業技術學院 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 無錫華源專利商標事務所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 馮智文 |
| 地址： | 214121 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | vdmos 垂直 場效應 晶體管 性能 檢測 裝置 | ||
1.VDMOS垂直柵場效應晶體管性能檢測裝置，包括電路板(1)和晶體管(8)，其特征在于：所述電路板(1)的頂端固定連接有擋板(2)，所述擋板(2)的頂端一側固定連接有水平設置的電熱絲(3)，所述電路板(1)的頂端電性連接有鋼絲(4)，所述鋼絲(4)的另一端固定連接有水平設置的壓板(5)，所述壓板(5)的頂端固定連接有豎直設置的彈簧(6)，且彈簧(6)的頂端與電路板(1)的底端固定連接，所述晶體管(8)的前端電性連接有水平設置的引腳(7)，所述電路板(1)的頂端左右兩側均轉動連接有曲桿(9)，所述曲桿(9)的內側固定連接有彈簧片(10)，且彈簧片(10)的底端與電路板(1)的頂端固定連接，左側所述曲桿(9)的頂端固定連接有水平設置的固定塊(11)，所述固定塊(11)的右端固定連接有金屬絲(12)，所述金屬絲(12)的另一端固定連接有拉環(13)，右側所述曲桿(9)的頂端固定連接有限位環(14)，且限位環(14)的內側與金屬絲(12)的外側滑動連接。
2.根據權利要求1所述的VDMOS垂直柵場效應晶體管性能檢測裝置，其特征在于：所述擋板(2)的內端面呈弧面狀設置，且擋板(2)的弧面端與晶體管(8)的外側底端滑動連接。
3.根據權利要求1所述的VDMOS垂直柵場效應晶體管性能檢測裝置，其特征在于：所述金屬絲(12)的外側滑動連接有彈簧夾(15)，且彈簧夾(15)的左端與限位環(14)的右端相貼合。
4.根據權利要求1所述的VDMOS垂直柵場效應晶體管性能檢測裝置，其特征在于：所述電熱絲(3)的軸線與曲桿(9)的中心位于同一豎直平面上，且電熱絲(3)位于晶體管(8)的正上方。
5.根據權利要求1所述的VDMOS垂直柵場效應晶體管性能檢測裝置，其特征在于：所述鋼絲(4)的數量為3根，所述鋼絲(4)的長度均相等，且鋼絲(4)呈均勻分布在壓板(5)的頂端。
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