[發明專利]一種IGBT短路保護電路及其實現方法

有效

• 申請號: 201811567729.1
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN109687396B
• 公開（公告）日: 2019-11-22
• 發明（設計）人: 張弦;梅建華;曹欣
• 申請（專利權）人: 南京科遠驅動技術有限公司
• 主分類號: H02H7/12
• 分類號: H02H7/12;H02M5/458
• 代理公司: 32238 南京匯盛專利商標事務所(普通合伙)
• 代理人: 陳揚<國際申請>=<國際公布>=<進入國

1.一種IGBT短路保護電路，所述保護電路設于主回路整流濾波單元、主回路泄放逆變單元和微處理器模塊之間，其特征在于：

所述保護電路包括硬件保護單元和三態緩沖器信號處理單元；所述硬件保護單元耦接主回路整流濾波單元、微處理器模塊、三態緩沖器信號處理單元、主回路泄放逆變單元；所述三態緩沖器信號處理單元耦接微處理器模塊、硬件保護單元、主回路泄放逆變單元；

所述硬件保護單元中：

光電耦合器OP1的陽極與二極管D1的陰極相連，所述光電耦合器OP1的陰極與所述二極管D1的陽極相連，電阻R1與所述二極管D1并聯，電容C1與所述二極管D1并聯，電阻R3的一端與所述二極管D1的陰極相連，所述電阻R3的另一端與電阻RS1的1號端相連，所述電阻RS1的2號端與所述二極管D1的陽極相連，所述電阻RS1串聯入直流母線正極中，所述電阻RS1的1號端與所述主回路整流濾波單元耦接，所述電阻RS1的2號端與所述主回路泄放逆變單元耦接；

光電耦合器OP2的陽極與二極管D2的陰極相連，所述光電耦合器OP2的陰極與所述二極管D2的陽極相連，電阻R2與所述二極管D2并聯，電容C2與所述二極管D2并聯，電阻R4的一端與所述二極管D2的陰極相連，所述電阻R4的另一端與電阻RS2的1號端相連，所述電阻RS2的2號端與所述二極管D2的陽極相連，所述電阻RS2串聯入直流母線負極中，所述電阻RS2的1號端與所述主回路整流濾波單元耦接，所述電阻RS2的2號端與所述主回路泄放逆變單元耦接；

電阻R5的一端與電容C3的一端相連，所述電阻R5的另一端接電源VCC，所述電容C3的另一端接地GND，所述光電耦合器OP1的集電極與所述電阻R5的一端、所述電容C3的一端相連，所述光電耦合器OP1的發射極與所述地GND相連，所述光電耦合器OP2的集電極與所述電阻R5的一端、所述電容C3的一端相連，所述光電耦合器OP2的發射極與所述地GND相連，所述電阻R5、所述電容C3的公共端與微處理器模塊耦接，所述電阻R5、電容C3的公共端與所述三態緩沖器信號處理單元耦接。

2.根據權利要求1所述的IGBT短路保護電路，其特征在于：所述三態緩沖器信號處理單元包含三態緩沖器電路。

3.根據權利要求1所述的IGBT短路保護電路，其特征在于：所述光電耦合器為普通低速光電耦合器。

4.一種權利要求1所述的IGBT短路保護電路的實現方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一，所述硬件保護單元檢測主回路整流濾波單元直流母線正極和主回路整流濾波單元直流母線負極的電流狀態，發送使能/報警信號至微處理器模塊和所述三態緩沖器信號處理單元；

步驟二，所述微處理器模塊根據接收的使能/報警信號判斷是否發送控制信號至三態緩沖器信號處理單元；

步驟三，所述三態緩沖器信號處理單元根據接收的使能/報警信號和控制信號，發送對應的驅動信號至主回路泄放逆變單元。

5.根據權利要求4所述的IGBT短路保護電路的實現方法，其特征在于：所述使能/報警信號為高電平信號或低電平信號。

6.根據權利要求4所述的IGBT短路保護電路的實現方法，其特征在于：控制信號為高低占空比電平信號、高電平信號、低電平信號或高阻態。

7.根據權利要求4所述的IGBT短路保護電路的實現方法，其特征在于：驅動信號為高低占空比電平信號、高電平信號、低電平信號或高阻態。