[發明專利]任意形狀小孔平均電極化率密度的解析方法、設備及介質

在審

• 申請號: 201811567110.0
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN109657357A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 劉洪頤
• 申請（專利權）人: 廣州廣電計量檢測股份有限公司;廣州廣電計量檢測（上海）有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文;麥小嬋

1.一種任意形狀小孔平均電極化率密度的解析方法，其特征在于，包括：

根據導電屏上待解析小孔的輪廓建立基于極坐標的輪廓函數ρ(θ)，將所述待解析小孔的幾何重心設為極坐標的原點；

反復用半徑為ρ(θ₂)、ρ(θ₃)…ρ(θ_n＝2π)的圓孔取代所述小孔，并將每一所述圓孔的圓心均設置在所述待解析小孔的幾何重心上，根據圓形孔電極化率公式計算每一所述圓孔對應的電極化率，其中，0＝θ₁<θ₂<L<θ_n＝2π；

對每一所述圓孔對應的電極化率進行算術平均值的極限運算，得到對應的電極化率算術平均值；

將所述電極化率算術平均值作為所述待解析小孔的電極化率近似值，根據第一公式計算所述待解析小孔的平均電極化率密度；其中，所述第一公式為：

其中，τ_av為待解析小孔的平均電極化率密度，s₀為所述待解析小孔的面積，π為圓周率。

2.根據權利要求1所述的任意形狀小孔平均電極化率密度的解析方法，其特征在于，所述圓形孔電極化率公式為：

其中，α₁為圓孔的電極化率，τ_c為圓形孔的平均電極化率密度，τ_c的值為常量

3.根據權利要求1所述的任意形狀小孔平均電極化率密度的解析方法，其特征在于，對每一所述圓孔對應的電極化率進行算術平均值的極限運算，具體為：

根據算術平均值公式每一所述圓孔對應的電極化率進行算術平均值的極限運算；其中，所述算術平均值公式為：

設所述算術平均值公式中的n→∞并進行極限運算，得到所述電極化率平均值：

4.根據權利要求3所述的任意形狀小孔平均電極化率密度的解析方法，其特征在于，根據所述電極化率平均值和所述第一公式計算所述待解析小孔的平均電極化率密度:

5.一種任意形狀小孔平均電極化率密度的解析終端設備，其特征在于，包括處理器、存儲器以及存儲在所述存儲器中且被配置為由所述處理器執行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1-4所述的任意形狀小孔平均電極化率密度的解析方法。

6.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質包括存儲的計算機程序，其中，在所述計算機程序運行時控制所述計算機可讀存儲介質所在設備執行如權利要求1-4所述的任意形狀小孔平均電極化率密度的解析方法。