[發明專利]一種射頻輸入端口保護電路

在審

• 申請號: 201811559336.6
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN109450432A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 熊正東
• 申請（專利權）人: 珠海泰芯半導體有限公司
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003;H03K19/0175;H03K19/0185
• 代理公司: 廣東朗乾律師事務所 44291
• 代理人: 閆有幸

本發明公開了一種射頻輸入端口保護電路，包括低壓差線性穩壓器、第一二極管以及第二二極管，第一二極管的正極與射頻輸入端口以及第二二極管的負極連接，第二二極管的正極接地，還包括濾波電路與靜電防護電路；所述濾波電路的輸入端與低壓差線性穩壓器的輸出端連接，輸出端與第一二極管的負極連接；所述靜電防護電路的輸入端與第一二極管的負極連接，輸出端接地；本發明通過濾波電路抑制低壓差線性穩壓器輸出電壓中的電源干擾和噪聲的電壓來提供射頻輸入端口的靜電防護電路偏置和直流偏置，提高射頻接收電路的電源抑制比；與此同時，本發明通過靜電防護電路釋放輸入射頻輸入端口的靜電，實現射頻接收電路的高靜電防護。

〖技術領域〗

本發明涉及通信技術領域，尤其涉及一種射頻輸入端口保護電路。

〖背景技術〗

如圖1所示，現有的射頻輸入端口保護電路包括低壓差線性穩壓器LDO、第一二極管D1以及第二二極管D2；低壓差線性穩壓器LDO的輸入端接收電源輸出的電壓VCC，輸出端與第一二級管D1的負極連接；第一二極管D1的正極與第二二極管D2的負極連接，第二二極管D2的正極接地GND；第一二極管D1與第二二極管D2的公共極接射頻輸入端口；射頻輸入端口接內部電路；低壓差線性穩壓器LDO用于輸出穩定的輸出電壓VDD給射頻輸入端口；第一二極管D1和第二二極管D2用于釋放射頻輸入端口的靜電。

現有技術雖然實現射頻輸入端口的靜電防護，但是射頻輸入端口仍然存在對射頻接收電路比較致命的電源抑制比低的問題。

〖發明內容〗

本發明的目的旨在提供一種射頻輸入端口保護電路，實現射頻輸入電路的高電源抑制比以及高靜電防護。

本發明由以下技術方案實現：

一種射頻輸入端口保護電路，包括低壓差線性穩壓器、第一二極管以及第二二極管，第一二極管的正極與射頻輸入端口以及第二二極管的負極連接，第二二極管的正極接地；所述射頻輸入端口保護電路還包括濾波電路與靜電防護電路；所述濾波電路的輸入端與低壓差線性穩壓器的輸出端連接，輸出端與第一二極管的負極連接；所述靜電防護電路的輸入端與第一二極管的負極連接，輸出端接地。

進一步地，所述靜電防護電路包括第一靜電防護電路以及第二靜電防護電路；當輸入射頻輸入端口的靜電是少量正電荷時，輸入射頻輸入端口的靜電通過第一靜電防護電路釋放；當輸入射頻輸入端口的靜電是大量正電荷或經過累積的大量正電荷時，輸入射頻輸入端口的靜電通過第二靜電防護電路釋放。

作為具體的實施方式，所述第一靜電防護電路包括第四電阻、第二電容、第一反相器以及第二NMOS晶體管；所述第一二極管的負極與第四電阻的一端以及第二NMOS晶體管的漏極連接；所述第四電阻的另一端與第二電容的一端以及第一反相器的輸入端連接；所述第一反相器的輸出端與第二NMOS晶體管的柵極連接；所述第二電容的另一端以及第二NMOS晶體管的源極接地。

作為具體的實施方式，所述第一反相器包括第一PMOS晶體管以及第一NMOS晶體管；所述第一PMOS晶體管的柵極以及第一NMOS晶體管的柵極與所述第四電阻的另一端連接；所述第一PMOS晶體管的源極與第一二極管的負極連接；所述第一NMOS晶體管的源極接地；所述第一PMOS晶體管的漏極以及所述第一NMOS晶體管的漏極與所述第二NMOS晶體管的柵極連接。

作為具體的實施方式，所述第二靜電防護電路包括第五電阻、第六電阻、第二PMOS晶體管、第二反相器、第三反相器以及第五NMOS晶體管；所述第一二極管的負極與第二PMOS晶體管的源極以及第五NMOS晶體管的漏極連接；所述第二PMOS晶體管的柵極與第五電阻的一端連接；所述第二PMOS晶體管的漏極與第六電阻的一端以及第二反相器的輸入端連接；所述第二反相器的輸出端與第三反相器的輸入端連接；所述第三反相器的輸出端與第五NMOS晶體管的柵極連接；所述第五電阻的另一端、第六電阻的另一端以及第五NMOS晶體管的源極接地。