[發(fā)明專利]一種硅基底中波紅外增透膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811555428.7 | 申請日： | 2018-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN110146943B | 公開（公告）日： | 2021-03-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙中亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海歐菲爾光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G02B1/115 | 分類號： | G02B1/115 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 200434 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基底 中波 紅外 增透膜 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種硅基底上的中波紅外增透膜，其結(jié)構(gòu)為：在基底的正面沉積正面膜系(1)，在基底的反面沉積結(jié)構(gòu)相同的背面膜系(3)，其特征在于：
a、所述的正面膜系(1)的膜系結(jié)構(gòu)為：
基底/0.096M 0.048H 0.331M 0.397L 0.045M/空氣；
b、所述的背面膜系(3)的膜系結(jié)構(gòu)為：
基底/0.096M 0.048H 0.331M 0.397L 0.045M/空氣；
其中，H表示一個λ0/4光學厚度的Ge膜層，M表示一個λ0/4光學厚度的ZnS膜層，L表示一個λ0/4光學厚度的YbF3膜層，λ0為中心波長，H、M與L前的數(shù)字為膜層的厚度比例系數(shù)；以Ge為高折射率鍍膜材料，ZnS和YbF3為低折射率鍍膜材料；采用正面和背面同樣的膜系并使用YbF3材料提高透過率。
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