[發(fā)明專利]柔性O(shè)LED面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811552162.0 | 申請日: | 2018-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN109659345B | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 呂林鴻 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性 oled 面板 | ||
本發(fā)明公開了一種柔性O(shè)LED面板,所述柔性O(shè)LED面板包括:一柔性基底,包括一發(fā)光區(qū)、一薄化區(qū)及一走線區(qū),其中所述發(fā)光區(qū)鄰接所述走線區(qū),所述薄化區(qū)設(shè)于所述發(fā)光區(qū)及所述走線區(qū)之間,并且所述薄化區(qū)包括:一基底凹槽;及一第一可延展材料,設(shè)置于所述基底凹槽中;多個金屬導線,設(shè)置于所述柔性基底的所述發(fā)光區(qū)及所述走線區(qū)上;一發(fā)光層,設(shè)置于所述多個金屬導線其中之一的上方,且所述發(fā)光層位于所述發(fā)光區(qū);及一封裝層,設(shè)于所述發(fā)光層上方,且所述封裝層包括一封裝層凹槽,位于所述薄化區(qū),并且所述封裝層凹槽與所述基底凹槽相對。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種柔性O(shè)LED面板。
背景技術(shù)
在顯示技術(shù)領(lǐng)域中,有機發(fā)光(OLED)面板由于具有寬廣的色域、高的對比度、節(jié)能等優(yōu)點之外,可折疊/可延展的柔性O(shè)LED面板一直是人們的關(guān)注的發(fā)展方向。
在目前的一種柔性O(shè)LED面板技術(shù)中,請參閱圖1,是將發(fā)光區(qū)11做成孤島的形式,意即發(fā)光區(qū)11靠走線區(qū)12相連,其余地方挖空形成斷開區(qū)13,來增加OLED面板的彎折及延展能力。然而,發(fā)光區(qū)11周圍挖空的設(shè)計,降低了抵抗水氣進入及抗外力的能力,無法通過較嚴苛的可靠度測試(Reliability Analysis,RA),也就是OLED面板的質(zhì)量會下降,例如使用壽命較短或結(jié)構(gòu)強度較弱。此外,這種設(shè)計需要額外的制程步驟及掩膜,也增加制程成本及難度。
故,有必要提供一種柔性O(shè)LED面板,以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種柔性O(shè)LED面板,在增加彎折及延展能力時,同時具有較佳的抵抗水氣及外力的能力。意即可以在保證OLED面板的質(zhì)量的前提下,增加OLED面板延展與彎折的性能,并達到柔性顯示的效果。
為達成本發(fā)明的前述目的,本發(fā)明提供一種柔性O(shè)LED面板,所述柔性O(shè)LED面板包括:
一柔性基底,包括一發(fā)光區(qū)、一薄化區(qū)及一走線區(qū),其中所述發(fā)光區(qū)鄰接所述走線區(qū),所述薄化區(qū)設(shè)于所述發(fā)光區(qū)及所述走線區(qū)之間,并且所述薄化區(qū)包括:
一基底凹槽;及
一第一可延展材料,設(shè)置于所述基底凹槽中;
多個金屬導線,設(shè)置于所述柔性基底的所述發(fā)光區(qū)及所述走線區(qū)上;
一發(fā)光層,設(shè)置于所述多個金屬導線其中之一的上方,且所述發(fā)光層位于所述發(fā)光區(qū);及
一封裝層,設(shè)于所述發(fā)光層上方,且所述封裝層包括一封裝層凹槽,位于所述薄化區(qū),并且所述封裝層凹槽與所述基底凹槽相對。
根據(jù)本發(fā)明一實施例,所述封裝層凹槽設(shè)置有一第二可延展材料。
根據(jù)本發(fā)明一實施例,所述第一可延展材料及所述第二可延展材料包含樹脂。
本發(fā)明還提供一種柔性O(shè)LED面板,所述柔性O(shè)LED面板包括:
一柔性基底,包括一發(fā)光區(qū)、一薄化區(qū)及一走線區(qū),其中所述發(fā)光區(qū)鄰接所述走線區(qū),所述薄化區(qū)設(shè)于所述發(fā)光區(qū)及所述走線區(qū)之間,并且所述薄化區(qū)包括:
一基底凹槽;及
一第一可延展材料,設(shè)置于所述基底凹槽中;
多個金屬導線,設(shè)置于所述柔性基底上,并且所述多個金屬導線位于所述發(fā)光區(qū)及所述走線區(qū);
一平坦層,設(shè)置于所述多個金屬導線及所述柔性基底上;
一第一導電層,設(shè)置于所述平坦層上,所述第一導電層包括位于所述發(fā)光區(qū)的一第一電極;
一像素定義層,設(shè)置于所述第一電極及所述平坦層上;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





