[發(fā)明專利]一種改善多晶RIE黑硅電池邊緣發(fā)白石墨舟飽和工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811551463.1 | 申請日： | 2018-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN109742195B | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙穎;歷文斌;鄭正明 | 申請（專利權(quán)）人： | 橫店集團東磁股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/20 | 分類號： | H01L31/20;H01L21/67 |
| 代理公司： | 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109 | 代理人： | 尉偉敏 |
| 地址： | 322118 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改善 多晶 rie 電池 邊緣 發(fā)白 石墨 飽和 工藝 | ||
1.一種改善多晶RIE黑硅電池邊緣發(fā)白石墨舟飽和工藝，其特征在于，所述工藝包括以下步驟：
（1）進舟步，將酸溶液洗后的石墨舟，進行烘干，烘干后送入管式PECVD爐管內(nèi)進行石墨舟飽和工藝；
（2）爐門關(guān)閉后，將爐口至爐尾的溫度升高至400-500℃，壓力維持在0-500mTorr；
（3）預(yù)清洗步時間為100-200s，保持步驟（2）的溫度，通入氮氣，爐管內(nèi)壓力控制在1000-2000mTorr；氮氣通入2000-8000sccm，射頻輝光的射頻功率為2000-4000W，占空比為3:36；
（4）抽真空步時間維持20-60s，保持步驟（2）的溫度，壓力抽到0mTorr；
（5）檢漏步時間維持10-40s，壓力恢復(fù)至10000mTorr，同時升溫，溫度從400-500℃升至450-550℃，以確保爐管的密封性；
（6）抽真空步時間維持20-60s，保持步驟（5）的溫度，壓力抽至0mTorr；
（7）預(yù)鍍膜時間維持在50-200s，保持步驟（5）的溫度，通入氨氣，壓力控制在1000-2000mTorr；氮氣通入4000-8000sccm，射頻輝光的射頻功率為2000-4000W，占空比為3:30；
（8）鍍膜時間為0-9000s，保持步驟（5）的溫度，通入硅烷，氨氣，壓力控制在1000-2000mTorr；通入硅烷300-900sccm，氮氣4000-8000sccm，射頻輝光的射頻功率為2000-4000W，占空比為3:30；
（9）抽真空步，時間維持在20-80s，降溫，溫度從450-550℃降至350-500℃，壓力抽至0mTorr；
（10）清洗步時間20-80s，保持步驟（9）的溫度，通入氮氣，壓力控制在0mTorr；通入氮氣5000-10000sccm；
（11）充氮回壓步，時間維持在60-120s，保持步驟（9）的溫度，通入氮氣，壓力回復(fù)至10000mTorr；通入氮氣2000-6000sccm；
（12）出舟步，時間為160-200s，保持步驟（9）的溫度，通入氮氣，壓力為10000mTorr。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善多晶RIE黑硅電池邊緣發(fā)白石墨舟飽和工藝，其特征在于，步驟（2）中，升溫時間為100-1500s。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于橫店集團東磁股份有限公司，未經(jīng)橫店集團東磁股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811551463.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
