[發明專利]一種芯片的預處理方法及發電瓦的制備方法在審
| 申請號： | 201811547530.2 | 申請日： | 2018-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN111331993A | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發明（設計）人： | 王凱隆;程曉龍;顧鴻揚 | 申請（專利權）人： | 漢能移動能源控股集團有限公司 |
| 主分類號： | B32B37/02 | 分類號： | B32B37/02;B32B37/06;B32B37/10;B32B37/12;B32B38/10;H01L31/048 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 100107 北京市朝陽*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 預處理 方法 發電 制備 | ||
1.一種芯片的預處理方法，其特征在于，包括如下步驟：
將芯片的單面或兩面敷設封裝膠膜，分別得到單側或雙側敷設封裝膠膜的芯片；
用薄膜對單側或雙側敷設封裝膠膜的芯片的四周進行包覆，形成半成品；
將前板、半成品和背板依次疊放并進行層壓，形成層壓件；
將層壓件中的半成品從前板和背板之間取出，揭去薄膜，得到壓有膠膜的成品芯片；
其中，所述薄膜與膠膜不粘結。
2.根據權利要求1所述的芯片的預處理方法，其特征在于：所述封裝膠膜為EVA膠膜、POE膠膜或TPO膠膜；
所述薄膜為ETFE薄膜或PTFE薄膜；
所述前板和/或后板為平面鋼化玻璃、硅膠墊、Al-PET板或不銹鋼板。
3.根據權利要求1或2所述的芯片的預處理方法，其特征在于：所述芯片為串接好且連接有匯流條的芯片子串。
4.根據權利要求1-3中任一所述的芯片的預處理方法，其特征在于：膠膜的敷設厚度為0.1-0.5mm。
5.根據權利要求1-4中任一所述的芯片的預處理方法，其特征在于：在層壓件溫度降至50℃以下時，采用180度剝離方式揭去薄膜。
6.根據權利要求1-5中任一所述的芯片的預處理方法，其特征在于，在層壓過程中，控制溫度為100-180℃，壓力為95-101Kpa，時間為10-60min。
7.根據權利要求6所述的芯片的預處理方法，其特征在于，在層壓過程中，控制溫度為150-160℃，壓力為100-101Kpa，時間為15-20min。
8.一種發電瓦的制備方法，包括權利要求1-7中任一所述的芯片的預處理方法，其特征在于，還包括如下步驟：
將壓有膠膜的成品芯片正反面分別敷設POE膠膜，再在兩個POE膠膜背離成品芯片的一側分別敷設前板和背板，并將成品芯片的正面朝向前板，然后層壓，得到發電瓦。
9.根據權利要求8所述的發電瓦的制備方法，其特征在于，在發電瓦的制備過程中，層壓溫度為100-180℃，壓力為80-101Kpa，時間為20-70min。
10.一種權利要求8或9所述的發電瓦的制備方法所制得的發電瓦。
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