[發(fā)明專利]一種檢測環(huán)境因素的傳感裝置及其使用方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811547234.2
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN109738060B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發(fā)明（設計）人: 卓恩宗;楊鳳云
• 申請（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: G01J1/02
• 分類號: G01J1/02;G01J1/42
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

本發(fā)明公開了一種檢測環(huán)境因素的傳感裝置及其使用方法，所述傳感裝置檢測環(huán)境因素并根據(jù)環(huán)境因素產(chǎn)生電流，所述環(huán)境因素包括可見光、待測光、其他光和環(huán)境溫度；所述傳感裝置包括：檢測并根據(jù)包括待測光在內(nèi)的環(huán)境因素生成第一電流的第一傳感器；檢測并根據(jù)排除待測光在內(nèi)的環(huán)境因素生成第二電流的第二傳感器；根據(jù)第一電流和第二電流，計算得到反映待測光強度的待測光電流的讀取電路。排除掉其他因素的干擾，測定到待測光的準確的光照強度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測環(huán)境因素的傳感裝置及其使用方法。

背景技術(shù)

光電傳感器是采用光電元件作為檢測元件的傳感器。它首先把被測量的變化轉(zhuǎn)換成光信號的變化或者直接檢測環(huán)境中的光信號，然后借助光電元件進一步將光信號轉(zhuǎn)換成電信號。

光電傳感器是各種光電檢測系統(tǒng)中實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵元件，它是把光信號(可見、紅外及紫外鐳射光)轉(zhuǎn)變成為電信號的器件；光電式傳感器是以光電器件作為轉(zhuǎn)換元件的傳感器。它可用于檢測直接引起光量變化的非電物理量，如光強、光照度、輻射測溫等；但是在使用光電傳感器檢測環(huán)境中的待測光信號時，容易受到其他環(huán)境因素的影響，測量精度不高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種檢測環(huán)境因素的傳感裝置及其使用方法，排除掉其他因素的干擾，測定到待測光的準確的光照強度。

本發(fā)明公開了一種檢測環(huán)境因素的傳感裝置，所述傳感裝置檢測環(huán)境因素并根據(jù)環(huán)境因素產(chǎn)生電流，所述環(huán)境因素包括可見光、待測光、其他光和環(huán)境溫度；所述傳感裝置包括：檢測并根據(jù)包括待測光在內(nèi)的環(huán)境因素生成第一電流的第一傳感器；檢測并根據(jù)排除待測光在內(nèi)的環(huán)境因素生成第二電流的第二傳感器；所述第一電流和第二電流的大小受到環(huán)境因素的影響；所述環(huán)境因素包括可見光、待測光、其他光和環(huán)境溫度；讀取電路，根據(jù)第一電流和第二電流，計算得到反映待測光強度的待測光電流。

可選的，所述第一傳感器檢測并根據(jù)待測光和環(huán)境溫度生成第一電流；所述第二傳感器檢測并根據(jù)環(huán)境溫度生成第二電流；所述待測光引起的待測光電流由第一電流減去第二電流得到。

可選的，所述第一傳感器包括第一阻擋結(jié)構(gòu)，以透過所述待測光；所述第二傳感器包括第二阻擋結(jié)構(gòu)，以阻擋所述待測光透過。

可選的，所述待測光包括紅外光，所述其他光包括紫外光；所述第一阻擋結(jié)構(gòu)采用非晶硅制成，以透過所述紅外光；所述第二阻擋結(jié)構(gòu)采用微晶硅、多晶硅和金屬中的至少一種制成，以阻擋所述紅外光透過。

可選的，所述第一傳感器包括與第一阻擋結(jié)構(gòu)相對設置的第一檢測結(jié)構(gòu)，以檢測所述第一電流；所述第一檢測結(jié)構(gòu)采用微晶硅或者多晶硅或者氧化鍺硅制成，在氧化鍺硅中，設硅的摩爾量為x，鍺的摩爾量為y，氧的摩爾量為z；其中，0.1≤x≤0.3，1.0≤y≤1.5，0.1≤z≤0.3；所述第二傳感器包括與第二阻擋結(jié)構(gòu)相對設置的第二檢測結(jié)構(gòu),以檢測所述第二電流；所述第二檢測結(jié)構(gòu)與所述第一檢測結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)相同。

可選的，所述待測光包括紫外光，其他光包括紅外光，所述第一阻擋結(jié)構(gòu)采用非晶硅制成，以透過所述紫外光；所述第二阻擋結(jié)構(gòu)采用色阻或者金屬中的至少一種制成，以阻擋所述紫外光透過。

可選的，所述第一傳感器包括與第一阻擋結(jié)構(gòu)相對設置的第一檢測結(jié)構(gòu)，以檢測所述第一電流；所述第一檢測結(jié)構(gòu)采用氧化物半導體或者氧化鍺硅制成，在氧化鍺硅中，設硅的摩爾量為x，鍺的摩爾量為y，氧的摩爾量為z，其中，1.0≤x≤2.0，0.1≤y≤0.5，0.5≤z≤1.0。所述第二傳感器包括與第二阻擋結(jié)構(gòu)相對設置的第二檢測結(jié)構(gòu)，以檢測所述第二電流；所述第二檢測結(jié)構(gòu)與所述第一檢測結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)相同。