[發明專利]顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 201811544556.1 | 申請日: | 2018-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN109659276B | 公開(公告)日: | 2021-01-01 |
| 發明(設計)人: | 袁文豪 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/136 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括步驟:
S10、提供一基板,在所述基板上形成一非晶硅層;
S20、在所述非晶硅層上依次形成第一金屬層、第二金屬層及第一光阻層;
S30、利用第一光罩工藝,使所述第一金屬層形成第一金屬圖案層,及所述第二金屬層形成第二金屬圖案層;
S40、利用第一蝕刻工藝,使所述第一金屬圖案層形成保護層、及對所述非晶硅層圖案化處理使所述非晶硅層形成有源層,所述有源層在所述第二金屬圖案層上的正投影位于所述第二金屬圖案層內、以及所述有源層在所述第二金屬圖案層上的正投影面積小于所述第二金屬圖案層的面積;
S50、利用第二蝕刻工藝,去除所述第二金屬圖案層及所述保護層邊緣區域中超出所述有源層的部分,使所述第二金屬圖案層形成源漏極;
S60、剝離所述第一光阻層;
其中,所述第一蝕刻工藝為等離子蝕刻,所述等離子蝕刻通過等離子氣體對所述非晶硅層蝕刻,所述等離子氣體中的氧氣占所述等離子氣體總量的1%,所述等離子氣體中的等離子氧與所述第一金屬圖案層形成對應的金屬氧化物的保護層。
2.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,步驟S30包括:
S301、對所述第一光阻層進行曝光、顯影處理,以形成圖案化的所述第一光阻層;
S302、利用第三蝕刻工藝,對所述第二金屬層圖案化處理,使所述第二金屬層形成所述第二金屬圖案層;
S303、利用第四蝕刻工藝,對所述第一金屬層圖案化處理,使所述第一金屬層形成所述第一金屬圖案層;
所述第一金屬圖案層與所述第二金屬圖案層的圖案相同。
3.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述第一金屬層的金屬材料包括鉬。
4.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,在所述基板上形成一非晶硅層之前,還包括:
在所述基板上形成一柵極;
在所述柵極上形成一柵絕緣層。
5.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板由權利要求1~4任一項所述顯示面板的制作方法制成。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述源漏極的材料包括銅、鋁、鈦中的一種或一種以上的組合物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





