[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室及等離子體產(chǎn)生方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811542254.0
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN111328174A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丁安邦;陳鵬;傅新宇;榮延棟
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24;H05H1/42;H05H1/46
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種反應(yīng)腔室，包括腔室本體和上電極機(jī)構(gòu)，其特征在于，還包括等離子體輔助激發(fā)裝置，其中，

所述等離子體輔助激發(fā)裝置包括誘導(dǎo)氣體容納部、進(jìn)氣口和出氣口，所述誘導(dǎo)氣體容納部的兩端分別與所述進(jìn)氣口和所述出氣口連通，且所述出氣口還與所述腔室本體內(nèi)連通；

所述等離子體誘導(dǎo)氣體能在所述誘導(dǎo)氣體容納部內(nèi)起輝后流入所述腔室本體內(nèi)，以輔助所述上電極機(jī)構(gòu)使所述腔室本體內(nèi)的工藝氣體起輝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述等離子體輔助激發(fā)裝置包括陰極部件和電源，所述陰極部件與所述電源的負(fù)極電連接；

所述陰極部件的一端開設(shè)所述進(jìn)氣口，另一端開設(shè)所述出氣口；所述陰極部件的內(nèi)部形成所述誘導(dǎo)氣體容納部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述陰極部件為陰極管，所述陰極管內(nèi)部分填充有絕緣體，所述絕緣體在沿所述陰極管的軸向上形成有進(jìn)氣通道，所述陰極管內(nèi)未填充有所述絕緣體的部分形成空腔；

所述進(jìn)氣通道和所述空腔相連通以形成所述誘導(dǎo)氣體容納部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述陰極部件的設(shè)有所述進(jìn)氣口的一端固定在腔室壁上，所述陰極部件的設(shè)有所述出氣口的一端懸空在所述腔室本體內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述等離子體輔助激發(fā)裝置還包括位于所述腔室本體內(nèi)部的陽極部件和絕緣連接件，其中，所述陽極部件通過所述絕緣連接件與所述陰極部件連接，且所述陽極部件接地。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述反應(yīng)腔室還包括第一進(jìn)氣管和第二進(jìn)氣管，所述第一進(jìn)氣管用于向所述腔室本體內(nèi)通入所述工藝氣體，所述第二進(jìn)氣管用于向所述腔室本體內(nèi)通入所述等離子體誘導(dǎo)氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述空腔的在沿所述陰極管徑向方向的尺寸D與所述空腔的在沿所述陰極管軸向方向的尺寸H的比值范圍在1.2～1.4之間。

8.一種等離子體產(chǎn)生方法，其特征在于，所述等離子體產(chǎn)生方法包括以下步驟：

步驟S101、通過進(jìn)氣口向誘導(dǎo)氣體容納部內(nèi)通入等離子體誘導(dǎo)氣體，并使所述等離子體誘導(dǎo)氣體起輝后經(jīng)出氣口流入腔室本體內(nèi)；

步驟S201、開啟上電極機(jī)構(gòu)，以使所述腔室本體內(nèi)的工藝氣體起輝。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體產(chǎn)生方法，其特征在于，所述步驟S101具體為：

開啟電源，向陰極部件上加載電壓，以使所述誘導(dǎo)氣體容納部中的所述等離子誘導(dǎo)氣體起輝。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體產(chǎn)生方法，其特征在于，在所述步驟S201之后還包括：

步驟S2011、將向所述誘導(dǎo)氣體容納部內(nèi)通入的所述等離子體誘導(dǎo)氣體的流量降低至第一預(yù)設(shè)流量。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體產(chǎn)生方法，其特征在于，在所述步驟S101之后且在所述步驟S201之前還包括：

步驟S1011、向第一進(jìn)氣管中通入所述工藝氣體，向第二進(jìn)氣管中通入所述等離子體誘導(dǎo)氣體，使所述工藝氣體和所述等離子體誘導(dǎo)氣體進(jìn)入所述腔室本體內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體產(chǎn)生方法，其特征在于，所述步驟2011中還包括：將向所述第二進(jìn)氣管中通入的所述等離子體誘導(dǎo)氣體的流量降低至第二預(yù)設(shè)流量。