[發(fā)明專利]一種提高蝕刻因子的柔性線路板的制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811540180.7
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN109788654A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉清
• 申請（專利權(quán)）人: 鹽城維信電子有限公司
• 主分類號: H05K3/06
• 分類號: H05K3/06
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 連平

本發(fā)明提供一種提高蝕刻因子的柔性線路板的制作方法，包括以下步驟：(1)化學(xué)鍍鎳；(2)干膜壓合；(3)干膜紫外線曝光；(4)干膜顯影；(5)銅蝕刻；(6)干膜剝離；(7)化學(xué)鎳層去除。本發(fā)明還提供了該制作方法得到的產(chǎn)品。本發(fā)明能有效提高精細(xì)線路的蝕刻因子，從而有利于提升精細(xì)線路的良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種提高蝕刻因子的柔性線路板的制作方法及其產(chǎn)品。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品的微型化，對柔性線路板的高密度布線要求越來越高，更細(xì)的線寬線距成為目前市場的發(fā)展趨勢。國內(nèi)的柔性線路板產(chǎn)業(yè)大多采用蝕刻法制作線路，目前蝕刻法可以通過采用高解析度干膜、高精度玻璃底片和二流體蝕刻設(shè)備制作出線寬/線距25微米/25微米及以下的精細(xì)線路，但是存在蝕刻因子較低的問題，低蝕刻因子的精細(xì)線路易出現(xiàn)線路底部銅殘留并且導(dǎo)致產(chǎn)品良率下降，蝕刻因子計算公式為：蝕刻因子＝基材銅箔的厚度/線路上下線寬差值的一半，可以看出線路上下寬的差距越大的話蝕刻因子越低，現(xiàn)有的精細(xì)線路的蝕刻因子為2.5左右。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種提高蝕刻因子的柔性線路板的制作方法，能有效提高精細(xì)線路的蝕刻因子，從而有利于提升精細(xì)線路的良率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種提高蝕刻因子的柔性線路板的制作方法，包括以下步驟：

(1)化學(xué)鍍鎳：在聚酰亞胺中間層的上表面設(shè)置上銅箔層，在聚酰亞胺中間層的下表面設(shè)置下銅箔層后制成基材，在上銅箔層的上表面化學(xué)鍍上均勻沉積的上化學(xué)鎳層，在下銅箔層的下表面化學(xué)鍍上均勻沉積的下化學(xué)鎳層；

(2)干膜壓合：在上化學(xué)鎳層的上表面壓合形成上干膜，在下化學(xué)鎳層的下表面壓合形成下干膜；

(3)干膜紫外線曝光：使用紫外線對上、下干膜分別進(jìn)行部分照射，上、下干膜上被紫外線照射過的部分發(fā)生聚合交聯(lián)形成上、下干膜曝光部分，上、下干膜上剩下的部分為上、下干膜未曝光部分，上、下干膜曝光部分和上、下干膜未曝光部分均有多個且在X方向一一間隔；

(4)干膜顯影：將上、下干膜未曝光部分去除并露出部分上、下化學(xué)鎳層；

(5)銅蝕刻：對經(jīng)過步驟(5)后露出的部分上化學(xué)鎳層及其下方的上銅箔層、下化學(xué)鎳層及其上方的下銅箔層進(jìn)行蝕刻，直至露出聚酰亞胺中間層；

(6)干膜剝離：將所有上、下干膜曝光部分去除；

(7)化學(xué)鎳層去除：將經(jīng)過步驟(6)處理后的基材上剩下的上、下化學(xué)鎳層去除。

進(jìn)一步地，所述步驟(1)中，上銅箔層和下銅箔層的厚度均為 0.1-100微米。

進(jìn)一步地，所述步驟(1)中，上化學(xué)鎳層和下化學(xué)鎳層的厚度均為 0.01-10微米。

進(jìn)一步地，所述步驟(2)中，壓合的方式為熱輥壓合，上干膜和下干膜的厚度均為10-25微米。

進(jìn)一步地，所述步驟(3)為：將上、下玻璃底片分別覆蓋于上、下干膜上，上、下玻璃底片分別包括X方向上一一間隔的上、下透明區(qū)域和上、下黑色區(qū)域，每個上、下透明區(qū)域的X向尺寸均為20-200微米，每個上、下黑色區(qū)域的X向尺寸均為10-25微米，使用紫外線對覆蓋有上、下玻璃底片的上、下干膜進(jìn)行照射曝光后去除上、下玻璃底片，上、下干膜上被上、下透明區(qū)域覆蓋的部分為上、下干膜曝光部分，上、下干膜上被上、下黑色區(qū)域覆蓋的部分為上、下干膜未曝光部分。

進(jìn)一步地，所述步驟(3)中，上、下透明區(qū)域的數(shù)量為3，上、下黑色區(qū)域的數(shù)量為2。

進(jìn)一步地，所述步驟(5)中，蝕刻時使用的蝕刻液為氯化銅/鹽酸體系蝕刻液。

本發(fā)明還提供所述制作方法得到的產(chǎn)品。