[發明專利]一種存儲裝置以及電子設備

有效

• 申請號: 201811536116.1
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN111399613B
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 胡宏輝;梁廣慶
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G06F1/26
• 分類號: G06F1/26;G06F13/16
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種基于EMMC協議的存儲裝置，其特征在于，包括：

控制芯片；

存儲芯片；

選擇電路；

電源接口，被配置為接收外部的第一電壓；

第一變壓電路，其輸入端耦接所述電源接口，其輸出端耦接所述控制芯片的電源引腳，被配置為將所述第一電壓轉換為第二電壓，將所述第二電壓提供給所述控制芯片的電源引腳；

第二變壓電路，其輸入端耦接所述電源接口，被配置為將第一電壓轉換為第三電壓；

其中，所述存儲芯片的電源引腳耦接所述電源接口，以接收所述第一電壓；

所述控制芯片包括EMMC IO引腳和第一Flash IO引腳；

所述存儲芯片包括第二Flash IO引腳，其中，所述第一Flash IO引腳和所述第二FlashIO引腳耦接；

所述選擇電路的第一輸入端耦接所述第二變壓電路的輸出端，所述選擇電路的第二輸入端耦接所述電源接口，所述選擇電路的輸出端耦接所述第一Flash IO引腳和所述第二Flash IO引腳；

所述EMMC IO引腳，耦接所述第二變壓電路的輸出端。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，

所述第一電壓為3.3V，所述第二電壓為1.2V。

3.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，

所述第一電壓為3.3V，所述第三電壓為1.8V。

4.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，

所述第一電壓為3.3V；

所述存儲芯片還包括第二電源引腳，耦接所述電源接口，以對所述存儲芯片的內核提供所述第一電壓。

5.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，

所述第一變壓電路和/或所述第二變壓電路集成于所述控制芯片內。

6.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，

所述存儲裝置還包括：

基板，包括相對的第一側面和第二側面；其中，所述存儲芯片設置于所述第一側面，所述控制芯片設置于所述存儲芯片遠離所述基板的一側；

多個觸片，設置于所述第二側面；其中，所述電源接口為所述多個觸片中的一個。

7.一種電子設備，其特征在于，包括：

電源；

處理器，耦接所述電源；

存儲裝置，耦接所述處理器，所述存儲裝置是如權利要求1-6任一項所述的存儲裝置。