[發(fā)明專利]半導體裝置及制造半導體裝置的方法

有效

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• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN110010560B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設計）人: 金何松;高永范;金俊東;金東尚;歐尚松
• 申請（專利權）人: 艾馬克科技公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/552;H01L21/56
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;曹娜

半導體裝置及制造半導體裝置的方法。示例性半導體裝置可包括晶粒、再分配結構、互連、傳導帶、囊封劑和EMI屏蔽。所述再分配結構可包括耦合到所述晶粒底側的RDS頂表面。所述互連可以耦合到所述RDS底表面。所述傳導帶可以耦合到所述RDS，并且可以包括耦合到所述RDS底表面的帶內端以及定位成低于所述RDS底表面的帶外端。所述囊封劑可以囊封所述傳導帶和所述RDS底表面。所述EMI屏蔽可以覆蓋且接觸所述囊封劑側壁和所述帶外端。本文還公開了其他范例和相關方法。

技術領域

本發(fā)明公開內容一般涉及電子裝置，更具體地涉及半導體裝置和制造半導體裝置的方法。

背景技術

現(xiàn)有的半導體封裝及用于形成半導體封裝的方法是不適當?shù)模鐚е鲁杀具^高、可靠性降低、性能相對較低或封裝尺寸太大。透過將習知和傳統(tǒng)方法與本發(fā)明公開內容和參考附圖進行比較，習知和傳統(tǒng)方法的進一步限制和缺點對于本領域技術人士將變得顯而易見。

發(fā)明內容

在一個范例中，一種半導體裝置可以包括半導體晶粒、再分配結構、互連、傳導帶、囊封劑和EMI屏蔽。所述半導體晶粒可包括晶粒頂側、晶粒側壁和晶粒底側。所述再分配結構可包括耦合到所述晶粒底側的RDS頂表面、RDS側壁和RDS底表面。所述互連可以耦合到所述RDS底表面。所述傳導帶可以耦合到所述RDS，并且可以包括耦合到所述RDS底表面的帶內端，以及定位成低于所述RDS底表面的帶外端。所述囊封劑可以囊封所述傳導帶和所述RDS底表面，并且可以包括囊封劑內表面、囊封劑側壁和囊封劑底表面。所述EMI屏蔽可以覆蓋且接觸所述囊封劑側壁和所述帶外端。

在一個范例中，一種用于制造半導體裝置的方法可以包括提供電子結構。所述電子結構可以包括第一半導體晶粒，所述第一半導體晶粒具有第一晶粒頂側、第一晶粒側壁和第一晶粒底側。所述電子結構還可以包括第一再分配結構RDS，其具有耦合到第一晶粒底側的第一RDS頂表面、第一RDS側壁和第一RDS底表面。所述方法還可以包括將傳導帶耦合到第一RDS，其中所述傳導帶可以包括第一帶部分，其具有耦合到所述第一RDS底表面的第一帶內端，以及定位成低于所述第一RDS底表面的第一帶外端。所述方法可以進一步包括用囊封劑囊封所述傳導帶和所述第一RDS，以及施加EMI屏蔽，所述EMI屏蔽覆蓋且保形所述囊封劑的第一囊封劑側壁和第一帶外端。

在一個范例中，一種半導體裝置可以包括半導體晶粒、再分配結構、互連、導線、囊封劑和EMI屏蔽。所述半導體晶粒可包括晶粒頂側、晶粒側壁和包括晶粒襯墊的晶粒底側。所述再分配結構可包括由直接在所述晶粒頂側上的增建介電層所定義的RDS頂表面、與所述晶粒側壁共平面的RDS側壁、RDS底表面和再分配路徑。所述再分配路徑可以包括傳導層，所述傳導層位于所述增建介電層上并且透過所述增建介電層的開口而耦合到所述晶粒襯墊，其中所述再分配路徑可以橫向和垂直地延伸到所述RDS底表面。所述互連可以耦合到在RDS底表面處的所述再分配路徑。所述導線可以耦合到所述RDS，并且可以包括被線接合到所述RDS底表面的導線內端，以及定位成低于所述RDS底表面的導線外端。所述囊封劑可以包括模制化合物層，其囊封所述導線、所述晶粒側壁、所述RDS側壁和所述RDS底表面。所述囊封劑可包括耦合到所述RDS底表面、所述RDS側壁和所述晶粒側壁的囊封劑內表面、囊封劑側壁和囊封劑底表面。所述EMI屏蔽可以完全覆蓋所述囊封劑側壁、所述囊封劑頂表面和所述導線外端。

其他范例包括在本發(fā)明公開內容中。這些范例可以在附圖、權利要求和/或本發(fā)明公開內容的描述中找到。

附圖說明

圖1顯示了示例性半導體裝置的橫截面圖。

圖2A至2T顯示了用于制造示例性半導體裝置的示例性方法的橫截面圖。

圖3顯示了示例性半導體裝置的橫截面圖。

圖4顯示了示例性半導體裝置的橫截面圖。