[發明專利]半色調掩膜版濕法灰化制作方法

在審

• 申請號: 201811534780.2
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109634051A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 杜武兵;林偉;呂振群
• 申請（專利權）人: 深圳市路維光電股份有限公司
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32;G03F1/80
• 代理公司: 深圳市翼智博知識產權事務所(普通合伙) 44320
• 代理人: 黃莉

1.一種半色調掩膜版濕法灰化制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供母板，所述母板包括基板以及自所述基板一側表面由內至外依次形成的半透層、透光阻隔層、遮光層以及光阻層；

對所述母板進行曝光，通過調整控制不同區域的曝光能量，在所述光阻層分別形成完全感光區、不完全感光區及非感光區；

采用顯影液去除完全感光區和不完全感光區內已感光的光阻材料而分別形成完全顯影區和不完全顯影區；

采用蝕刻液依次蝕除所述完全顯影區內側的遮光層、透光阻隔層和半透層形成透光圖形區；

采用灰化液與所述光阻層反應直至所述不完全顯影區內側的剩余光阻層通過反應完全去除形成灰化區；

采用蝕刻液蝕除所述灰化區內側的遮光層形成半透光圖形區；

去除殘留的光阻層，獲得帶有透光圖形區和半透光圖形區的半色調掩膜版成品。

2.如權利要求1所述的半色調掩膜版濕法灰化制作方法，其特征在于，所述灰化液為濃硫酸和過氧化氫的混合溶液，所述濃硫酸與過氧化氫的質量比為7-8：3。

3.如權利要求2所述的半色調掩膜版濕法灰化制作方法，其特征在于，所述濃硫酸溶液的質量百分比濃度不低于98％。

4.如權利要求1所述的半色調掩膜版濕法灰化制作方法，其特征在于，所述采用蝕刻液依次蝕除所述完全顯影區內側的遮光層、透光阻隔層和半透層蝕除形成透光圖形區包括：

采用只與遮光層反應的第一蝕刻液蝕除完全顯影區內側的遮光層；

采用只與透光阻隔層反應的第二蝕刻液蝕除完全顯影區內側的透光阻隔層；

采用只與半透層反應的第三蝕刻液蝕除完全顯影區內側的半透層。

5.如權利要求1所述的半色調掩膜版濕法灰化制作方法，其特征在于，采用只與遮光層反應的第一蝕刻液蝕除所述灰化區內側的遮光層形成半透光圖形區。

6.如權利要求1所述的半色調掩膜版濕法灰化制作方法，其特征在于，去除殘留的光阻層時，采用能與光阻材料反應的脫膜液通過化學反應去除光阻層。