[發明專利]一種防浪涌穩壓保護電路在審
| 申請號： | 201811529403.X | 申請日： | 2018-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN111327032A | 公開（公告）日： | 2020-06-23 |
| 發明（設計）人： | 楊輝;于波 | 申請（專利權）人： | 西安智盛銳芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/04 | 分類號： | H02H9/04;H02H9/02;H02H11/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 浪涌 穩壓 保護 電路 | ||
1.一種防浪涌穩壓保護電路，其特征在于，包括：三極管T、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電容C、mos管N、輸入端Vin和輸出端Vout；其中，
所述三極管T的集電極連接所述輸入端Vin的正極；
所述電阻R1連接在所述三極管的集電極與基極之間；
所述二極管D1的負極連接所述三極管的集電極；
所述二極管D1的正極連接所述二極管D2的正極；
所述二極管D2的負極連接所述mos管N的柵極；
所述三極管T的基極連接所述mos管N的源極；
所述電容C與所述電阻R4并聯后，連接在所述三極管T的基極與所述mos管N的漏極之間；
所述電阻R2與所述電阻R3串聯后，連接在所述三極管T的發射極與所述MOS管漏極之間；
所述電阻R2與所述電阻R3連接的節點處連接至所述mos管的柵極；
所述mos管的柵極連接所述輸入端Vin的負極；
所述輸入端Vin的負極連接所述輸出端Vout的負極；
所述電阻R5連接在所述三極管T的發射極與所述輸出端Vout的正極之間；
所述電阻R5與所述輸出端正極連接到節點處連接所述二極管D3的負極；
所述二極管的負極連接所述輸出端Vout的負極。
2.根據權利要求1所述的防浪涌穩壓保護電路，其特征在于，所述二極管D1和所述二極管D3為穩壓二極管；所述二極管D2為發光二極管。
3.根據權利要求2所述的防浪涌穩壓保護電路，其特征在于，所述二極管D3的擊穿電壓為5V。
4.根據權利要求1所述的防浪涌穩壓保護電路，其特征在于，所述三極管T為NPN管。
5.根據權利要求1所述的防浪涌穩壓保護電路，其特征在于，所述mos管N為N型mos管。
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