[發明專利]一種基于微流控的鈣鈦礦量子點的制備方法有效
| 申請號: | 201811518200.0 | 申請日: | 2018-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN109456764B | 公開(公告)日: | 2023-09-12 |
| 發明(設計)人: | 林鵬程;閆琪;李曉欣;林威;陳穎;成正東 | 申請(專利權)人: | 廣東工業大學 |
| 主分類號: | C09K11/66 | 分類號: | C09K11/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 任美玲;趙青朵 |
| 地址: | 510060 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 微流控 鈣鈦礦 量子 制備 方法 | ||
1.一種基于微流控的鈣鈦礦量子點的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
采用微流控技術,以由鹵化鉛、鹵化錫、鹵化銫、極性溶劑和穩定劑組成的極性溶液為流相A,以非極性溶劑為流相B,控制所述流相A與所述流相B的流量比為1:(10~120),制備得到鈣鈦礦量子點;所述穩定劑為油酸和油胺的混合穩定劑,所述油酸和油胺的質量比為(1~2):1;所述鈣鈦礦量子點的粒徑為為4~20?nm;所述極性溶劑選自二甲基亞砜、二甲基甲酰胺、四氫呋喃或N-甲基吡咯烷酮;所述非極性溶劑選自石油醚、環己烷、甲苯、二氯甲烷、三氯甲烷、正辛烷。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述微流控技術所使用的微流控芯片包括:基板以及復合于基板上的蓋板,在所述基板上開設有反應單元,所述反應單元包括流相A流道、流相B流道以及反應液流道,所述流相A流道的出口和流相B流道的出口與所述反應液流道的入口相連通,所述蓋板上開設有流相A入口以及流相B入口,所述流相A入口與所述流相A流道的入口相連通,所述流相B入口與所述流相B流道的入口相連通,所述反應液流道的出口與接料裝置相連;所述流相A流道的寬度為1~5微米,深度為0.5~3微米,長度為1~6微米;所述流相B流道的寬度為1~5微米,深度為0.5~3微米,長度為1~6微米;所述反應液流道的寬度為1~4微米,深度為0.5~3微米,長度為8~15微米。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述鹵化鉛選自氯化鉛、溴化鉛或碘化鉛;所述鹵化錫選自氯化錫、溴化錫或碘化錫;所述鹵化銫選自氯化銫、溴化銫或碘化銫。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述極性溶劑和穩定劑體積比為(10~15):(1~2)。
5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述流相A按照如下方法進行制備:
將鹵化鉛、鹵化錫和鹵化銫分散于極性溶劑中,混合得到無色透明的溶液;
所述溶液中加入穩定劑,混合,得到流相A。
6.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述流相B按照如下方法進行制備:
將所述非極性溶劑過0.4微米的濾膜,得到流相B。
7.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述制備的溫度為20~30℃。
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