[發明專利]一種AXI總線訪問NAND FLASH的方法及裝置

有效

• 申請號: 201811510254.2
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN109726149B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 楊海波;曹朋朋;胡小婷;王泉;趙強;霍衛濤
• 申請（專利權）人: 中國航空工業集團公司西安航空計算技術研究所
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 中國航空專利中心 11008
• 代理人: 王世磊

本發明屬于集成電路設計技術領域，涉及一種AXI(Advanced extensible interface高性能可擴展接口)總線訪問NAND FLASH(NAND閃存)的方法及裝置，將AXI讀操作轉換為所需的兩相位NAND存取命令，通過NAND控制器對NAND FLASH進行存取操作，而對于非NAND數據存取的總線傳輸，可直接進行透傳的實現方法，從而大大提高了對NAND FLASH的訪問效率。

技術領域

本發明屬于集成電路設計技術領域，涉及一種AXI總線訪問NAND FLASH的方法及裝置。

背景技術

隨著集成電路的不斷發展，NAND FLASH和NORFLASH作為兩種主要的非易失性存儲器，被應用于各種嵌入式系統。其中NAND FLASH主要優點在于存儲密度高、容量大，有更占優勢的存儲性價比。

傳統情況下對NAND FLASH的訪問，因為自身NAND FLASH其獨特的讀寫方式，軟件訪問需多次調用命令函數，軟件資源消耗大，訪問效率低。如若程序要直接從NAND FALSH執行，不僅效率低下，且占用內存更大。

發明內容

為了解決上述背景中提及的問題，本發明提供了一種AXI總線訪問NAND FLASH的方法及裝置，采用純硬件的方式，實現NAND FLASH硬件自啟動，從而提高了對NAND FLASH的訪問效率，且內存占用大大減小。

第一方面，本發明實施例提供了一種AXI總線訪問NAND FLASH的方法，包括：

對AXI總線的讀地址總線的地址進行判斷；

若所述地址屬于NAND FLASH，則將所述AXI總線上的一次讀操作轉化為對NAND控制器的一次寫操作和一次讀操作；

通過所述NAND控制器的一次讀操作讀回數據，并將所述數據發送至所述AXI總線。

可選的，若所述地址不屬于NAND FLASH，則執行透傳操作。

可選的，所述對AXI總線的讀地址總線的地址進行判斷，具體包括：

通過對所述AXI總線的讀地址總線的地址進行地址范圍的判斷，若所述AXI總線的讀地址總線的地址在所述地址范圍內，則所述地址屬于NAND FLASH；若所述AXI總線的讀地址總線的地址不在所述地址范圍內，則所述地址不屬于NAND FLASH。

可選的，所述將AXI總線上的一次讀操作轉化為對NAND控制器的一次寫操作和一次讀操作，由狀態機進行實現，所述狀態機至少包括寫地址狀態、寫數據狀態、寫響應狀態、寫等待狀態、讀地址狀態和讀數據狀態，其中：

在寫地址狀態下，當所述AXI總線上的寫地址通道READY信號為高時，則寫地址操作完成，所述狀態機將跳轉至寫數據狀態；當所述AXI總線上的寫地址通道READY信號為低時，則所述狀態機保持在所述寫地址狀態；

在寫數據狀態下，當所述AXI總線上的寫數據通道READY信號為高時，則所述AXI總線的寫數據通道完成傳輸寫數據的準備工作，所述狀態機將跳轉至寫響應狀態；當所述AXI總線上的寫數據通道READY信號為低時，則所述狀態機保持在寫數據狀態下；

在寫響應狀態下，當所述AXI總線上的寫響應有效信號為高時，則寫數據操作已完成，所述狀態機將跳轉至寫等待狀態；當所述AXI總線上的寫響應有效信號為低時，則所述狀態機保持在寫響應狀態下；

在寫等待狀態下，當所述NAND FLASH上的寫BUSY信號拉低時，則NAND FLASH傳輸路徑空閑，可進行后續信息傳輸，所述狀態機將跳轉至讀地址狀態；當所述NAND FLASH上的寫BUSY信號拉高時，則所述狀態機保持在寫等待狀態下；