[發明專利]三維鏡像康托爾縫隙分形偶極子超寬頻帶天線及終端在審
| 申請號: | 201811492880.3 | 申請日: | 2018-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN109390687A | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發明(設計)人: | 林斌;洪志杰;鄭萍;魏昕煜;潘依郎;李振昌 | 申請(專利權)人: | 廈門大學嘉庚學院 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/36;H01Q1/52;H01Q5/25;H01Q5/28;H01Q5/307;H01Q9/04 |
| 代理公司: | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學俊;陸帥 |
| 地址: | 363105 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜基質 分形偶極子 貼覆 超寬頻帶天線 第三層 鈦酸鋇 頻段 背面 三維 終端 射頻識別頻段 外界電磁干擾 移動數字電視 移動通信頻段 超寬帶通信 輻射貼片 感應輻射 坡莫合金 依次設置 第一層 能力強 冗余 鍍層 饋電 屏蔽 三層 貼片 天線 輻射 | ||
本發明涉及三維鏡像康托爾縫隙分形偶極子超寬頻帶天線及終端,包括由上至下依次設置的三層薄膜基質,第一層薄膜基質正面及第三層薄膜基質正面均貼覆有鏡像康托爾縫隙分形偶極子感應輻射貼片,第二層薄膜基質正面貼覆有鏡像康托爾縫隙分形偶極子饋電輻射貼片,第三層薄膜基質背面貼覆有鈦酸鋇薄片,鈦酸鋇薄片背面貼覆有的坡莫合金鍍層,本天線:結構簡單,設計合理,屏蔽外界電磁干擾效果較好,輻射能力強,性能冗余較大,在較寬的頻率范圍內能夠穩定工作,能夠完全覆蓋第二代至第五代移動通信頻段、射頻識別頻段、超寬帶通信頻段和移動數字電視頻段。
技術領域
本發明涉及一種三維鏡像康托爾縫隙分形偶極子超寬頻帶天線及終端。
背景技術
多網合一、多功能融合是無線通信技術發展的最重要的趨勢。微波頻段多網合一智能手持終端的天線需要完全覆蓋第二代至第五代移動通信頻段、射頻識別系統工作頻段、超寬帶系統工作頻段、移動數字電視系統工作頻段。我國目前使用的第二代移動通信頻段為GSM制式 0.905~0.915 GHz、0.950~0.960 GHz、1.710~1.785 GHz、1.805~1.880GHz頻段;第三代移動通信頻段為TD-SCDMA制式1.880~1.920 GHz、2.010~2.025 GHz、2.300~2.400 GHz頻段和WCDMA制式 1.920~1.980 GHz、2.110~2.170 GHz頻段;第四代移動通信頻段為TD-LTE制式 2.570~2.620 GHz頻段。即將投入使用的第五代移動通信有三個候選頻段,分別為:3.300~3.400 GHz、4.400~4.500 GHz、4.800~4.990 GHz。射頻識別系統有三個主要的工作頻段:0.902~0.928 GHz、2.400~2.4835 GHz、5.725~5.875GHz。超寬帶系統的工作頻段為3.100~10.600 GHz。移動數字電視系統工作頻段為11.700~12.200 GHz。微波頻段多網合一智能手持終端的天線需要同時覆蓋上述所有工作頻段,并滿足輻射能力強、性能冗余較大、工作穩定性高的要求,同時能夠屏蔽外界電磁干擾,放置于多種射頻信號源附近時仍然能夠正常工作。
發明內容
本發明的目的是針對傳統袋籠的缺陷和不足,提供一種三維鏡像康托爾縫隙分形偶極子超寬頻帶天線及終端。
本發明解決技術問題所采用的方案是,一種三維鏡像康托爾縫隙分形偶極子超寬頻帶天線,包括由上至下依次設置的三層薄膜基質,第一層薄膜基質正面及第三層薄膜基質正面均貼覆有鏡像康托爾縫隙分形偶極子感應輻射貼片,第二層薄膜基質正面貼覆有鏡像康托爾縫隙分形偶極子饋電輻射貼片,第三層薄膜基質背面貼覆有鈦酸鋇薄片,鈦酸鋇薄片背面貼覆有的坡莫合金鍍層。
進一步的,所述鏡像康托爾縫隙分形偶極子感應輻射貼片和鏡像康托爾縫隙分形偶極子饋電輻射貼片結構完全一致,都由兩條對稱的康托爾縫隙分形偶極子輻射臂和下方的鏡像補償結構組成。
進一步的,所述康托爾縫隙分形偶極子輻射臂由長度為1 mm±0.1 mm、寬度為0.5mm±0.01 mm的饋線和康托爾縫隙分形區域組成,康托爾縫隙分形區域的尺寸為18 mm±0.1 mm×18 mm±0.1 mm。
進一步的,所述康托爾縫隙分形偶極子輻射臂中的康托爾縫隙分形區域使用至少2階的康托爾縫隙分形結構。
進一步的,所述鏡像補償結構與兩條康托爾縫隙分形偶極子輻射臂呈鏡像對稱,鏡像補償結構與康托爾縫隙分形偶極子輻射臂的距離為1 mm±0.1 mm。
進一步的,所述鏡像康托爾縫隙分形偶極子饋電輻射貼片的兩條輻射臂的對稱中心線上開設有斷開間隙,在斷開間隙的兩側設有天線饋電點。
進一步的,三層薄膜基質結構一致,都為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜基質,其形狀為矩形,尺寸是40 mm±0.1 mm×39 mm±0.1 mm,厚度為0.2 mm±0.02 mm,相對介電常數為3.5±0.1。
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