[發明專利]一種高速寬頻帶建模方法、系統、裝置及存儲介質有效
| 申請號： | 201811488761.0 | 申請日： | 2018-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN110196984B | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發明（設計）人： | 李躍進;高成楠;王松松;史陽楠;盧啟軍 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | G06F30/34 | 分類號： | G06F30/34;G06F30/398 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 張捷 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高速 寬頻 建模 方法 系統 裝置 存儲 介質 | ||
1.一種高速寬頻帶建模方法，其特征在于：包括步驟如下：
獲取TSV的參數信息；
根據參數信息對TSV進行第一仿真，得到TSV三維結構模型；
根據三維結構模型得到等效電路模型；
所述根據三維結構模型得到等效電路模型，包括：根據三維結構模型得到阻抗和導納；根據阻抗和導納建立電路模型；
其中，TSV的外部電感Louter為：
Wdep為耗盡層最大寬度，φfp為空穴的費米勢，εsi為硅襯底相對介電常數，是Hankel函數的第二種類型的零階函數，δsi是硅襯底的阻尼因子,tox為絕緣層厚度，μTSV為TSV的相對磁導率，Na為襯底摻雜濃度,rTSV為TSV半徑。
2.根據權利要求1所述的高速寬頻 帶建模方法，其特征在于：阻抗Z為Z＝Zbump+ZTSV，Zbump為鍵合凸點阻抗，ZTSV為TSV的串聯阻抗。
3.根據權利要求1所述的高速寬頻 帶建模方法，其特征在于：所述參數信息包括TSV的半徑、TSV間距、TSV高度、氧化層厚度、鍵合凸點的高度和鍵合凸點的半徑中的一種或多種。
4.一種高速寬頻帶建模系統，其特征在于：包括數據采集模塊、仿真模塊和模型構建模塊；
數據采集模塊，用于獲取TSV的參數信息；
仿真模塊，用于根據參數信息對TSV進行第一仿真，得到TSV三維結構模型；
模型構建模塊，用于根據三維結構模型得到構建等效電路模型；
所述模型構建模塊，根據三維結構模型得到等效電路模型，包括：
根據三維結構模型得到阻抗和導納；根據阻抗和導納建立電路模型；
其中，TSV的外部電感Louter為：
Wdep為耗盡層最大寬度，φfp為空穴的費米勢，εsi為硅襯底相對介電常數，是Hankel函數的第二種類型的零階函數，δsi是硅襯底的阻尼因子,tox為絕緣層厚度，μTSV為TSV的相對磁導率，Na為襯底摻雜濃度，rTSV為TSV半徑。
5.一種高速寬頻帶建模裝置，其特征在于：包括信息采集裝置、處理器、存儲器，所述存儲器中存儲有計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序的步驟為：
獲取TSV的參數信息；
根據參數信息對TSV進行第一仿真，得到TSV三維結構模型；
根據三維結構模型得到等效電路模型；
所述根據三維結構模型得到等效電路模型，包括：
根據三維結構模型得到阻抗和導納；根據阻抗和導納建立電路模型；
其中，TSV的外部電感Louter為：
Wdep為耗盡層最大寬度，φfp為空穴的費米勢，εsi為硅襯底相對介電常數，是Hankel函數的第二種類型的零階函數，δsi是硅襯底的阻尼因子,tox為絕緣層厚度，μTSV為TSV的相對磁導率，Na為襯底摻雜濃度,rTSV為TSV半徑。
6.一種存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于：所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至3中任一項所述的方法的步驟。
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