[發明專利]基于單對電極電容成像檢測技術的非導電材料開口缺陷寬度方向尺寸量化方法

有效

• 申請號: 201811477328.7
• 申請日: 2018-12-05
• 公開（公告）號: CN111272060B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 殷曉康;谷悅;李振;李晨;王克凡;符嘉明;曹松;李偉;陳國明
• 申請（專利權）人: 中國石油大學（華東）
• 主分類號: G01B7/14
• 分類號: G01B7/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于單對電極電容成像檢測技術的非導電材料開口缺陷寬度方向尺寸量化方法，應用于近表面提離高度下的單對電極電容成像檢測技術的缺陷檢測信號，其特征在于，包括：

所選探頭檢測位置區域內存在非導電材料開口缺陷；

選擇一個固定的近表面提離高度H₁，利用極板間距為S的探頭接收輸入的單對電極電容成像缺陷檢測信號，其中提離高度H₁應小于探頭的極板間距S，所述單對電極電容成像缺陷檢測信號包含有限個連續增大的檢測位置(X₁X₂……X_n-1X_n)處的檢測電壓值(U₁、U₂、……、U_n-1、U_n)；

在檢測非導電材料開口缺陷路徑上存在最大且最密集的測量靈敏度分布的點，所述最大且最密集的測量靈敏度分布的點與缺陷的寬度方向尺寸存在對應關系；

對所述提離高度 H₁下的檢測信號電壓值U_n計算關于檢測位置X_n的導數ΔU_n＝(U_n+1-U_n)/(X_n+1-X_n)，并繪制所述檢測信號電壓值導數ΔU_n關于檢測位置X_n的曲線；

對所述檢測信號電壓值導數ΔU_n關于檢測位置X_n的曲線進行最大值點X_max點和最小值點X_min獲取，計算最大值點X_max點和最小值點X_min之間的距離L＝|X_max-X_min|；

非導電材料開口缺陷寬度方向的尺寸D等于所述最大值點X_max點和最小值點X_min之間的距離L減去探頭的極板間距S，即D＝L-S。

2.根據權利要求1所述的一種基于單對電極電容成像檢測技術的非導電材料開口缺陷寬度方向尺寸量化方法，其特征在于，所述接收輸入的單對電極電容成像缺陷檢測信號，包括：

接收檢測探頭輸入的至少包括整個非導電材料開口缺陷在內的檢測位置處的單對電極電容成像缺陷檢測信號電壓值。

3.根據權利要求1所述的一種基于單對電極電容成像檢測技術的非導電材料開口缺陷寬度方向尺寸量化方法，其特征在于，對所述單對電極電容成像缺陷檢測信號電壓值求關于檢測位置的導數，包括：

對所述單對電極電容成像缺陷檢測信號電壓值求導數包括借助labview 軟件控件獲取缺陷檢測信號電壓值和matlab軟件編程對缺陷檢測信號求導數；

繪制所述檢測信號電壓值導數關于檢測位置的曲線，并獲取最大值點和最小值點。