[發明專利]顯示面板及其制造方法在審
| 申請號: | 201811465807.7 | 申請日: | 2018-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN109585511A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 楊薇薇 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示面板 第二金屬層 第一金屬層 有機材料 最小孔徑 穿孔的 電連接 高像素 源層 絕緣層 制造 介電絕緣層 有機絕緣層 無機材料 基板 漏極 彎折 源極 破裂 積累 應用 | ||
本發明公開一種顯示面板及其制造方法,所述顯示面板包含基板、有源層、絕緣層、第一金屬層、有機絕緣層及第二金屬層。本發明實施例的顯示面板及其制造方法通過以有機材料作為介電絕緣層,以減少所述顯示面板在彎折時積累較大應力,而容易發生破裂的問題。此外,由于有機材料的穿孔的最小孔徑大于無機材料的穿孔的最小孔徑而不利于高像素密度的顯示面板,故本發明通過所述第一金屬層的第一接觸部和第二接觸部電連接所述有源層,以及所述第二金屬層的源極和漏極分別電連接所述第一接觸部和所述第二接觸部,可應用于高像素密度的顯示面板。
技術領域
本發明是有關于一種面板及其制造方法,特別是有關于一種顯示面板及其制造方法。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode;OLED)顯示裝置具有重量輕,自發光,廣視角、驅動電壓低、發光效率高功耗低、響應速度快等優點,應用范圍越來越廣泛。特定是柔性有機發光二極管顯示裝置具有可彎折及易攜帶的特點,成為顯示技術領域研究和開發的主要領域。
然而,目前的有機發光二極管顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)會在第二柵極層后沉積一無機材料作為一介電絕緣層。然而,大部份的無機材料在彎折過程中易積累較大應力,并且容易發生破裂(crack)。
故,有必要提供一種顯示面板及其制造方法,以解決現有技術所存在的問題。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例的一目的在于提供一種顯示面板及其制造方法,其可以減少所述顯示面板在彎折時積累較大應力,而容易發生破裂的問題。此外,本發明實施例還可應用于高像素密度的顯示面板。
為達成本發明的前述目的,本發明一實施例提供一種顯示面板,包括顯示區和彎折區,其中所述顯示面板包含:基板、有源層、絕緣層、第一金屬層、有機絕緣層及第二金屬層。所述有源層位于所述顯示區且設于所述基板上。所述絕緣層設于所述有源層上,且位于所述彎折區的所述絕緣層中設有第一通孔,所述第一通孔貫穿所述絕緣層。所述第一金屬層設于所述絕緣層上,所述第一金屬層包括位于所述第一通孔中的第一金屬走線。所述有機絕緣層設置在所述第一金屬層上,所述有機絕緣層中設有至少一第二通孔。所述第二金屬層設置在所述有機絕緣層上,所述第二金屬層包括設置在所述彎折區的第二金屬走線,所述第二金屬走線通過所述至少一第二通孔與所述第一金屬走線連接。
在本發明的一實施例中,所述絕緣層設有兩個第三通孔,所述第一金屬層包括設置在所述顯示區的第一接觸部和第二接觸部,所述第一接觸部和所述第二接觸部分別通過所述兩個第三通孔與所述有源層電連接;及所述有機絕緣層包括兩個第四通孔,所述第二金屬層包括設置在所述顯示區的源極和漏極,所述源極和所述漏極分別通過所述兩個第四通孔與相應的所述第一接觸部和所述第二接觸部電連接。
在本發明的一實施例中,所述至少一第二通孔及所述兩個第四通孔各具有孔徑,所述孔徑大于等于3.5微米。
在本發明的一實施例中,所述有機絕緣層的材料包含聚酰亞胺類。
在本發明的一實施例中,所述顯示面板更包含氧化層,所述氧化層設在所述基板上,其中所述第一通孔貫通部分所述氧化層。
在本發明的一實施例中,所述絕緣層包含一第一絕緣層與一第二絕緣層,所述第一絕緣層設在所述有源層上,所述第二絕緣層設在所述第一絕緣層上。
在本發明的一實施例中,所述顯示面板更包含一柵極,所述柵極設在所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





